本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望.
参考文献
| [1] | Michael S;Sergey R;Michael L;杨银堂,贾护军,段宝兴.碳化硅半导体材料与器件[M].北京:电子工业出版社,2012 |
| [2] | 许振嘉.近代半导体材料的表面科学基础[M].北京:北京大学出版社,2002:746. |
| [3] | 邓中翰 .2013年中国芯片进口额超2000亿美元,超石油进口[OL].http://www.guancha.cn/Industry/2014-03-05-211055.shtml |
| [4] | 彭同华 .浅析碳化硅材料产业发展之路[R].2014宽禁带半导体器件及应用技术产业发展战略研讨会(北京),2014. |
| [5] | 盛况 .碳化硅电力电子技术和产业现状报告[R].2014宽禁带半导体器件及应用技术产业发展战略研讨会(北京),2014. |
| [6] | 沈燕,王强,徐化勇,孙茂峰,王成新,李树强,徐现刚.SiC衬底GaN蓝光LED性能分析[C].第七届中国国际半导体照明论坛论文集,2010:144-146. |
| [7] | Richard E .The world market foecasts for silicon carbide & gallium nitride power semiconductors-2013 Edition[R].IMS research,Wellington,England,2013. |
| [8] | 美国纽约州政府宣布投入5亿美元发展碳化硅材料及其制造工艺[OL].http://www.p-e-china.com/neir.asp? newsid =46634&lm2=343 |
| [9] | 国际电力电子市场最新情况简报[OL].http://www.sicc.co/article.php? id=154 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%