衬底材料作为半导体照明产业技术发展的基石,是半导体照明产业的核心,具有举足轻重的地位,直接决定了LED芯片的制造路线.高亮度LED的半导体材料体系对衬底材料提出的要求比传统的LED更为严格.村底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间不匹配数,这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关.重点介绍几种典型材料与外延材料的晶格匹配及其加工要求,从材料制备难易程度和衬底与外延薄膜的化学稳定性对各种衬底材料进行比较分析,并对衬底材料的应用前景进行了预测.
参考文献
| [1] | Zukauskas A;Shur M S;Asks R G.固体照明导论[M].北京:化学工业出版社,2006:1. |
| [2] | 国家新材料行业生产力促进中心;国家半导体照明工程研发及产业联盟.中国半导体照明产业发展报告(2005)[M].北京:机械工业出版社,2006:1. |
| [3] | 国家发展和改革委员会高技术产业司;中国材料研究学会.中国新材料产业发展报告(2005)[M].北京:化学工业出版社,2006:1. |
| [4] | 柏德葳.全球LED产业发展动态[J].电子测试,2007(08):4-7. |
| [5] | 晨明.LED的发展走势[J].光源与照明,2007(02):40. |
| [6] | 刘一兵,刘慧荧.高亮度发光二极管（HB LED）及应用概况[J].湖南理工学院学报（自然科学版）,2007(02):42-45. |
| [7] | Mohammad R H K;Yasuo K;Nobuhiko S et al.[J].Solid State Communications,1986,57(01):17-20. |
| [8] | Navamathavana R;Parkb S J;Hahnc J H et al.[OL].http://www.Sciencedirect.com,2008-07-14. |
| [9] | Shen XQ;Shimizu M;Yamamoto T;Honda Y;Okumura H .Characterizations of GaN films and GaN/AlN super-lattice structures grown on vicinal sapphire (0001) substrates by RF-MBE[J].Journal of Crystal Growth,2005(1/4):378-382. |
| [10] | Cherns D;Sahonta S L;Liu R et al.[J].Applied Physics Letters,2004,85(21):4923-4925. |
| [11] | Wu XH.;Tarsa EJ.;Heying B.;Keller S.;Mishra UK.;DenBaars SP. Speck JS.;Fini P. .Dislocation generation in GaN heteroepitaxy[J].Journal of Crystal Growth,1998(0):231-243. |
| [12] | Keckes J.;Six S.;Tesch W.;Resel R.;Rauschenbach B. .Evaluation of thermal and growth stresses in heteroepitaxial AIN thin films formed on (0001) sapphire by pulsed laser ablation[J].Journal of Crystal Growth,2002(1/2):80-86. |
| [13] | Nakamura .[J].Science,1998,281:956. |
| [14] | [OL].http://tech-www,digitimes,com.tw/,2008-07-14. |
| [15] | Amano H;Sawaki N;Akasaki I .[J].Applied Physics Letters,1986,48:353-355. |
| [16] | 郑畅达,方文卿,王立,莫春兰,蒲勇,戴江南,刘卫华,江风益.ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形[J].发光学报,2005(03):385-390. |
| [17] | 卢朝靖;李金华;段晓峰 .[J].电子显微学报,2006,25(zk):95-96. |
| [18] | 王晓晖,刘祥林,汪度,陆大成.用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究[J].半导体学报,1997(11):867. |
| [19] | 陈金源 .[J].工业材料(日本),1998,138:93-105. |
| [20] | 大谷义彦,夏晨.LED照明现状与未来展望[J].中国照明电器,2007(06):20-24. |
| [21] | 张国义,陆敏,陈志忠.高亮度白光LED用外延片的新进展[J].物理,2007(05):377-384. |
| [22] | 雷玉堂,黎慧.未来的照明光源--白光LED技术及其发展[J].光学与光电技术,2003(05):33-34. |
| [23] | 王国宏.半导体照明大功率LED进展[J].新材料产业,2004(06):26-29. |
| [24] | 马小军.美国固体照明技术进展概况[J].半导体技术,2006(01):8-11,14. |
| [25] | 方志烈.发光二极管材料与器件的历史、现状和展望[J].物理,2003(05):295-301. |
| [26] | Moulson A J;Herbert J M;李世普.电子陶瓷--材料,性能,应用[M].武汉:武汉工业大学出版社,1993:10. |
| [27] | 刘如熹;王健源.白光发光二极体制作技术-21世纪人类的新曙光[M].中国台湾:全华科技图书股份有限公司,2007:1. |
| [28] | 马平,魏同波,段瑞飞,王军喜,李晋闽,曾一平.蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长[J].半导体学报,2007(06):902-908. |
| [29] | Shen x Q;Okumura H .[J].Materials Science Forum,2004,2457-460:1553-1556. |
| [30] | Pecz B;di Forte-Poisson M A;Toth L et al.[J].Materials Science Forum,1998,264-268:1255-1258. |
| [31] | Mogilyanski D.;Gartstein E. .Characterization of the Interface Strain/Stress State in Si-on-Sapphire Heterostructure[J].Materials Science Forum,2000(0):568-573. |
| [32] | Kang D H;Song J C;Kim D W et al.[J].Current Advances in Materials and Processes,2007,29-30:351-354. |
| [33] | Punam Pant.Characterization of the Nucleation Layer in GaN Sapphire Heterostructures[M].USA:North Carolina State University,2005:7. |
| [34] | 周太明.半导体照明的曙光[J].照明工程学报,2004(02):1-6. |
| [35] | 郭晓艳,魏昕,谢昕.蓝宝石抛光技术的研究进展[J].机电工程技术,2006(09):76-78,94. |
| [36] | 赵之雯;牛新环;檀柏梅 等.[J].纳米材料与结构,2006,21:16-19,46. |
| [37] | Wang Yinzhen;Liu Shiliang;Peng Guanliang et al.[J].Journal of Crystal Growth,2005,274:241-245. |
| [38] | [OL].http://edoc.hu-berlin.de/dissertationen/liu-tian-yu 2004-10-01/PDF/Liu.pdf |
| [39] | Hellman E S;Liliental-Weber Z;Buchanan D N E .[J].J Nitride Semic Res,1997,2:30. |
| [40] | Waltereit P;Brandt O;Trampert A et al.[J].Nature,2000,406:865. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%