欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

在已有的三维温度梯度法(3DGF)蓝宝石晶体生长炉基础上,设计了一种双坩埚蓝宝石晶体生长炉.设计的三维温度梯度法蓝宝石晶体生长炉主要针对蓝宝石手机面板市场,将坩埚设计成长方体型,增加了材料利用率,并简化了晶体切割工艺.采用双坩埚技术,可进一步提高晶体的生产效率,节约能耗,降低成本.本设计的双坩埚3DGF蓝宝石晶体生长炉可单炉获得2个300 mm×100 mm× 100 mm的蓝宝石晶体.

参考文献

[1] 徐建卫.温梯法大尺寸白宝石单晶的生长[J].人工晶体学报,1998(03):242.
[2] 纪秀峰.蓝宝石晶体生长工艺及设备[J].电子工业专用设备,2011(07):7-10,22.
[3] 李留臣,陈治明,蒲红斌,封先锋,张群社.人工晶体生长设备真空系统的优化设计[J].人工晶体学报,2004(06):1041-1043.
[4] 许承海,韩杰才,张明福,孟松鹤,左洪波.SAPMAC法生长蓝宝石晶体的温场设计、工艺分析与控制[J].无机材料学报,2007(02):344-348.
[5] Horowitz A.;Einav Y.;Benamar G.;Gazit D.;Biderman S. .IMPROVED CONTROL OF SAPPHIRE CRYSTAL GROWTH[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/2):183-189.
[6] Guoqing Zhou;Yongjun Dong;Jun Xu;Hongjun Li;JiLiang Si;Xiaobo Qian;Xiaoqin Li .Φ140 mm sapphire crystal growth by temperature gradient techniques and its color centers[J].Materials Letters,2006(7):901-904.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%