离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

功能材料, 2004, 35(3): 336-337.

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

宋书林 ^1, , 陈诺夫 ^2, , 周剑平 ^3, , 尹志岗 ^4, , 李艳丽 ^5, , 杨少延 ^6, , 刘志凯 ^7,

1.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

2.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080

3.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

4.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

6.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

7.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365和G2002CB311905) 国家自然科学基金(60176001)

关键词： GaAs:Gd薄膜 , 低能离子束外延 , GaAs衬底

GaAs:Gd film preparation by ion beam epitaxy

室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.

参考文献

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