用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

功能材料, 2009, 40(3): 483-485.

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

黄锐 ^1, , 林璇英 ^2, , 余云鹏 ^3, , 林揆训 ^4,

1.韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041

2.韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041;汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

3.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

4.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

基金项目: 国家重点基础研究发展规划(973计划)(G2000028208)

关键词：纳米晶硅薄膜 , SiCl4 , 生长速率 , 晶化度

Fast growth of nanocrystalline silicon film prepared with low hydrogen flow rate by using PECVD at low-temperature

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致.通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜.

参考文献

[1]	Matsuyama T.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1990:292327.
[2]	Tsu DV;Chao BS;Ovshinsky SR;Guha S;Yang J .Effect of hydrogen dilution on the structure of amorphous silicon alloys[J].Applied physics letters,1997(10):1317-1319.
[3]	Arimoto S et al.[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1994,34:257.
[4]	Asano A .[J].Applied Physics Letters,1990,56:533.
[5]	黄创君,林璇英,林揆训,余云鹏,余楚迎,池凌飞.SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜[J].功能材料,2002(06):650-652.
[6]	Lin X Y;Lin K X et al.[J].Journal of Applied Physics,2005,98:4907.
[7]	陈治明.非晶半导体材料与器件[M].北京:科学出版社,1991
[8]	Ikeda T et al.[J].Journal of Non-Crystalline Solids,1996,198-200:987.
[9]	Shirai H;Ito T;Ikeda Y .Disorder-induced nucleation in the nanocrystalline silicon film growth from chlorinated materials by rf plasma-enhanced chemical vapor deposition[J].Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites,2004(0):115-118.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

Fast growth of nanocrystalline silicon film prepared with low hydrogen flow rate by using PECVD at low-temperature

参考文献