采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究.X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CFx(x=1~3)交联结构增多.电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大.
参考文献
[1] | 蒋昱,吴振宇,汪家友.低k氟化非晶碳层间介质对芯片性能的影响[J].微纳电子技术,2005(08):365-368. |
[2] | Ronning C;Buttner M;Vetter U et al.[J].Journal of Applied Physics,2001,90:4237-4245. |
[3] | 叶超,宁兆元,程珊华,辛煜,许圣华.C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响[J].物理学报,2004(05):1496-1500. |
[4] | Endo K;Tatsumi T .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36(11B):L1531-L1533. |
[5] | Huang K P;Lin P;Shih H C .[J].Japanese Journal of Applied Physics,2003,42(6A):3598-3602. |
[6] | 吴振宇,刘毅,汪家友,杨银堂.永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统[J].真空科学与技术学报,2004(04):317-320. |
[7] | Jia-Min Shieh;Kou-Chiang Tsai;Bau-Tong Dai .Modifications of Low Dielectric Constant Fluorinated Amorphous Carbon Films by Multiple Plasma Treatments[J].Journal of the Electrochemical Society,2002(7):G384-G390. |
[8] | Nicollian E H;Brews J R.MOS(Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology[M].New York:Wiley,1982 |
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