用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出一系列衬底温度不同的纳米碳化硅薄膜,衬底温度分别为室温,200、400、600、700℃,并对样品进行了Raman和傅立叶红外测试分析.结果表明,随衬底温度的升高,薄膜结晶度提高,其晶粒尺寸为纳米数量级.通过FTIR不仅观察到SiC的TO声子在红外被激活,而且LO声子在粒径很小或薄膜很薄时也能在红外被激活,体现了纳米SiC较强的红外吸收特性.
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