射频磁控溅射法制备La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-σ电解质薄膜的研究

功能材料, 2011, 42(1): 63-66.

射频磁控溅射法制备La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-σ电解质薄膜的研究

孙红燕 ^1, , 马文会 ^2, , 陈秀华 ^3, , 于洁 ^4, , 林航昇 ^5,

1.真空冶金国家工程实验室,云南昆明,650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明,650093

2.真空冶金国家工程实验室,云南昆明,650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明,650093

3.云南大学物理科学技术学院,云南,昆明,650091

4.真空冶金国家工程实验室,云南昆明,650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明,650093

5.真空冶金国家工程实验室,云南昆明,650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明,650093

基金项目: 教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-07-0387) 云南省中青年学术带头人后备人才资助项目(2005PY01-33) 国家自然科学基金(50204007)

关键词：固体氧化物燃料电池 , LSGM , RF磁控溅射 , 薄膜

Preparation and characterization of La0.9 Sr0.1 Ga0.8 Mg0.2 O3-δthin film deposited by RF magnetron sputtering

采用射频磁控溅射法成功地在多孔La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-σ(LSCM7355)阳极基底上制备了致密的LSGM电解质薄膜层.研究结果表明,当溅射功率为210W、基底温度为300℃、溅射气氛氩气压强为5Pa、溅射时间为12h,得到表观形貌较好、厚度约为10μm的LSGM电解质薄膜.在1000℃空气气氛中退火2h后,电解质薄膜物相结构符合多晶态钙钛矿型结构.

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