采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
参考文献
| [1] | Cerdeira F;Buchenauer C J;Pollak F H et al.[J].Physical Review,1972,B5:580. |
| [2] | Nemanich R J;Solin S A;Martin R M .[J].Physical Review,1981,B23:6348. |
| [3] | Campbell I H;Fauchet P M .[J].Solid State Communications,1986,58:739. |
| [4] | Gonzalez-Hernandez J;Azabayejani G et al.[J].Applied Physics Letters,1985,47:1350. |
| [5] | 毛旭,李宏宁,杨明光,周祯来,杨宇.射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响[J].云南大学学报,1999(01):23-26. |
| [6] | 岳兰平,何怡贞.纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究[J].物理学报,1996(10):1756-1761. |
| [7] | Tiong K K;Amirtharaj P M et al.[J].Applied Physics Letters,1984,44:122. |
| [8] | Cadona M;Guntherodt.Light Scattering in Solid[M].Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, N Y:80. |
| [9] | 何宇亮;刘湘娜;王志超 等.[J].中国科学A辑,1992,9:995. |
| [10] | 王印月.用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸[J].光学学报,1998(09):1265. |
| [11] | Nilsson G;Nelin G .[J].Physical Review B,1971,3(02):364. |
| [12] | Fujii M;Hayashi S;Yamamoto K .[J].Applied Physics Letters,1990,57:2692. |
| [13] | 岳兰平.纳米锗颗粒镶嵌复合薄膜的显微结构研究[J].电子显微学报,1995(06):426. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%