体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析

工程热物理学报 , 2003, 24(3): 487-489.

1.清华大学工程力学系,北京,100084

2.清华大学工程力学系,北京,100084

基金项目: 国家自然科学基金(59995550-1)

NUMERICAL SIMULATIONS OF ELECTRICAL AND THERMAL DISTRIBUTIONS OF SI,SOI AND DSOI MOSFETS

利用简化的半导体电学方程,数值模拟获得了各种电学参数的分布,并结合简化电阻模型,模拟了体硅、SOI及DSOI的MOSFET器件的温度场.结果表明MOSFET器件的沟道,特别是靠近漏的区域电场强度及电流密度等各项电、热特性参数在该区域变化剧烈,是最主要的热源区.

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