对机械合金化SiC/MoSi2的先驱粉体及随后反应烧结制备SiC/MoSi2复合材料工艺研究表明:经机械合金化的先驱粉体主要成分为MoSi2.反应烧结温度在Si的熔点以上时,由于Si在MoSi2颗粒的表面的润湿铺展,导致烧结1h后的产物为Mo5Si3C,MoSi2,SiC和单质Si;在Si的熔点以下时,对过渡相Mo5Si3C的产生有一定抑制作用,反应烧结过程中只有少量过渡相Mo5Si3C出现;通过1600℃真空热处理2 h可以基本上消除Mo5Si3C相,得到只有MoSi2和SiC两相的均匀材料.
参考文献
| [1] | John J Petrovic .[J].ATER Science Eng,1995,A192-193:31. |
| [2] | Gaffet E;Malhouroux Gaffet N .[J].Journal of Alloys and Compounds,1994,205:27. |
| [3] | Daqing Yi et al.[J].Metallurgical and Materials Transactions A:Physical Metallurgy and Materials Science,1998,29A(01):119. |
| [4] | 张小立,吕振林,金志浩.无压反应烧结MoSi2-SiCp复相材料的制备与性能[J].稀有金属材料与工程,2003(12):1037-1040. |
| [5] | Jeng Y L;Lavernia E J .[J].Journal of Materials Science,1994,29:2557. |
| [6] | 王德志,刘心宇,左铁镛.MoSi2-Mo5Si3复合材料的低温氧化行为[J].稀有金属材料与工程,2002(01):48-51. |
| [7] | Henager C H et al.[J].Materials Science and Engineering,1992,A155:109. |
| [8] | 张来启 et al.[J].金属学报,1998,34(11):1205. |
| [9] | Silva A C;Kaufman M J .[J].Metallurgical and Materials Transactions A:Physical Metallurgy and Materials Science,1994,25A(01):5. |
| [10] | 傅晓伟,杨王,张来启,孙祖庆,朱静.原位合成MoSi2/SiC复合材料的组织缺陷[J].北京科技大学学报,2001(03):249-252. |
| [11] | Kang Pengchao et al.[J].Materials Letters,2003,57:4412. |
| [12] | Fang Haitao et al.[J].Journal of Materials Science Letters,2001,20(02):175. |
| [13] | Fan Xiaobao et al.[J].Materials Science and Engineering,2000,A278:46. |
| [14] | Darken L S;Gurry R W.Physical Chemistry of Metal[M].New York,1953 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%