何毅
,
范毅
,
丁忆鑫
,
罗智
腐蚀学报（英文）
doi:10.11903/1002.6495.2014.069
实验模拟了油、气集输过程碳钢管线中的流体环境,在不同流体速度、温度及成膜时间下,通过EIS技术考察45号钢表面附着缓蚀剂膜的耐腐蚀性能及破坏过程.缓蚀剂膜的腐蚀破坏过程中,EIS监测获得典型的电化学阻抗谱.结果表明,随着腐蚀时间、流体流速与流体温度的增加,碳钢表面附着缓蚀剂膜层由厚变薄,由致密变疏松,并表现出多孔性.因此,流体通过导致的表面剪切作用与气泡冲击,降低了该缓蚀剂的性能表现.通过SEM方法,辅助评价了处于不同状态下的缓蚀剂膜的结构.
关键词:
缓蚀剂
,
膜层
,
流体
,
碳钢
,
电化学阻抗谱
曲翔
,
徐文婷
,
肖清华
,
刘斌
,
闫志瑞
,
周旗钢
材料导报
忆阻器( RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗.简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型；综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等；阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题.
关键词:
忆阻器
,
薄膜材料
,
阻变机制
,
电激励
欧青立
,
徐林波
,
郭子叶
,
李娅
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.01.008
采用忆阻器替换分段线性电阻的方法,在Matsumoto,Chua和Kobayashi (MCK)提出的四阶混沌电路基础上,设计了一个含有忆阻器的五阶对称混沌电路,建立了五阶忆阻混沌电路的数学模型.采用常规动力学分析方法,分析了五阶忆阻混沌电路的平衡点集及其稳定性、Lyapunov指数.采用常规元器件,构建了五阶忆阻混沌电路的仿真模型,并进行了电路仿真实验.理论分析和仿真实验结果表明,设计的五阶忆阻混沌电路具有丰富的混沌行为,丰富了忆阻混沌电路的设计与应用.
关键词:
非线性光学
,
五阶忆阻混沌
,
动力学分析
,
忆阻器
,
混沌电路
康越
,
楚增勇
,
张东玖
,
张朝阳
材料导报
基于目前石墨烯在忆阻器中应用的最新研究进展,从石墨烯类忆阻器的基本结构出发,评述了石墨、氧化石墨烯、石墨烯在忆阻器中的应用方式,分析了石墨烯类阻变材料的阻变特性、阻变机理及界面势垒调节和电荷陷阱充放电两种模型,最后介绍了目前石墨烯衍生忆阻装置亟待解决的问题和发展方向.
关键词:
石墨烯
,
氧化石墨烯
,
忆阻器
张超超
,
尚杰
,
郝健
,
张文斌
,
冀正辉
,
刘钢
,
李润伟
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.015.014
随着对计算机性能要求的不断提高，人们一直在寻找能像人脑一样具有学习记忆功能的新型计算机。自从2008年惠普实验室发现忆阻器以后，发展具有人脑水平的智能计算机成为可能。众所周知，突触是大脑神经网络的基本单元，突触可塑性是学习和记忆的生物学基础。因此，为了实现具有学习和记忆功能的智能计算机，利用忆阻器模拟突触可塑性至关重要。综述了忆阻器在模拟突触的增强、抑制、短时程可塑性和长时程可塑性方面的研究现状，并对其研究前景进行了展望。
关键词:
忆阻器
,
突触
,
突触可塑性
,
短时程可塑性
,
长时程可塑性
魏榕山
,
蔡宣敬
,
罗文强
,
邓宁
人工晶体学报
采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶ PSS∶ PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP).测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数.该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中.
关键词:
忆阻器
,
PVP掺杂PEDOT∶ PSS
,
弛豫时间常数
王志学
,
邢万芳
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2004.10.007
鑫城金矿属高品位、急倾斜、椭圆形柱状矿体,矿石不稳固,矿岩界限不清.露天转地下开采后应用空场采矿法开采,致使预留的护顶矿柱冒落,采场与露天坑相通,露天边坡大量冒落的废石混入已采下矿石造成严重贫化.为此,重新确定适应该矿体开采的采矿方法,安全生产,减小贫化,提高效益成为矿山的当务之急.文中针对露天转地下开采问题进行了分析研究,并介绍了推荐方案的主要特征.
关键词:
露天转地下开采
,
椭圆形柱状矿体
,
损失贫化
,
分段崩落采矿法
