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乳液中形成的SmCo_5和Sm_2Co_(17)型结构

羽坂雅之 , 中岛弘道 , 万永

金属学报

在金相显微镜下观察了乳液中不同直径的粒子。大小粒子通过形核长大形成金属间化合物SmCo_5和Sm_2Co_(17)型晶体结构。在这类结构中观察到了某种非晶结构、成分偏离1∶5或2∶17理想配化的晶体结构、Laves相结构及诸如点缺陷和晶粒边界之类的晶格缺陷。表明了在原子级别上用乳液来研究Sm-Co和Sm-Co-Zr合金的形态学是很有用的。

关键词:

变形温度和冷却方法对粒状贝氏体组织形态的影响

曹杰 , 刘雅政 , 阎军 , 章静 , 孙维 , 于同仁 , 柳美玲

材料热处理学报

为控制粒状贝氏体的组织形态,在热模拟试验机上对新研制的非调质冷镦用钢进行了研究。主要分析了变形温度和冷却方法对粒状贝氏体组织中岛状物的影响。结果表明,在给定的变形温度和冷却条件下可以得到完全的粒状贝氏体组织;变形温度和冷却方法对粒状贝氏体组织中的岛状物有明显影响。低温变形和采用快冷+缓冷的双冷速方法可细化粒状贝氏体组织中的岛状物,使岛状物的数量增加,但体积分数减少。

关键词: 非调质钢 , 粒状贝氏体 , M/A岛 , 硬度

MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

王继红 , 罗子江 , 周勋 , 郭祥 , 周清 , 刘珂 , 丁召

功能材料

采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因.

关键词: GaAs薄膜 , MBE , RHEED , STM , 熟化

新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

曲宝壮 , 朱勤生 , 陈振 , 陆大成 , 韩培德 , 刘祥林 , 王晓晖 , 孙学浩 , 李昱峰 , 陆沅 , 黎大兵 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.003

利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.

关键词: 量子点 , MOCVD , 共振隧穿 , InGaN/GaN

非旋波近似的Zeno时间计算

李兴敏 , 严冬 , 李超 , 宋立军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.05.007

在非旋波近似条件下,利用中岛变换对二能级系统哈密顿量进行幺正转换,将耦合条件进行适当拓宽,在更加广泛的适应范围内计算Zeno时间,研究二能级系统非旋波项对Zeno时间的影响.计算发现,Zeno时间与二能级系统的能级间隔成反比关系,与旋波近似条件下的计算结果比较,非旋波近似条件的Zeno时间计算更加准确.同时表明,只有基于相同物理模型的非旋波项才可以使量子Zeno时间的计算更加精确.

关键词: 量子光学 , Zeno时间 , 中岛变换 , 量子Zeno效应 , 非旋波近似

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