尹文艳
,
杨合情
,
宋玉哲
,
万秀琴
,
任荣贞
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.025
论述了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法.物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等.其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景.
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族半导体
,
纳米材料
,
合成
,
尺寸控制
石声泰
中国腐蚀与防护学报
<正> 国际金属腐蚀会议自1960年首次在英国伦敦揭幕以来,每三年举行一次。曾先后在纽约、莫斯科、阿姆斯特丹、东京、悉尼和里约热内卢等地召开。今年的第八届国际金属腐蚀会议在德意志联邦共和国(西德)的迈冈兹市(Mainz)举行。中国腐蚀与防护学会(以下简称我会)征集了九篇论文,派四名代表参加。以后中国科学院等部门也分别选派代表参加。行前由国家利委将与会代表组织起来,由笔者任代表团长,我会副理事长沈增祚及左景伊二同志任副团长,理事李铁藩同志任秘书,团员有曹楚南、单义斌、管垣荣、王葆初、高佩钰、冯力群、孙德全、李金桂、王盛水、马重辉、徐仁生、火时中、陆柱、李挺芳等同志。
关键词:
马秋花
,
李彦涛
,
王改民
,
侯永改
硅酸盐通报
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对热电陶瓷Na<,0.6>CoO<,2>进行了研究.结果表明Na<,0.6> CoO<,2>为间接带隙的P型半导体,带隙宽度为1.233 eV.从态密度及电荷差分密度可知Co<,3>d电子和O2p电子对价带顶及导带底的贞献较大,CO3d与O2p轨道的杂化利于载流子的迁移,此外,CO3d电子晶场的分裂,使体系呈现自旋极化,计算得到的净磁矩为4μ<,B>,而自旋磁矩的存在是获得高Seebeck系数的原因.
关键词:
电子结构
,
Na0.6CoO2热电陶瓷
,
热电性能
材料保护
为尽快推广科技成果,及时介绍作者的经验,使文章可读性更强,被读者全面而完整地接受,本刊对稿件提出了一些要求(参见本刊2011年任意一期杂志中的“投稿须知”)。
关键词:
材料保护
,
投稿
,
科技成果
,
可读性