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TA2的钨极氩弧焊单面焊双面成形焊接工艺研究

铁永亮 ,

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.04.014

以厚度为6 mm的TA2板的焊接为例,研究了工业纯钛板单面焊、双面成形的焊接工艺.该工艺采用手工钨极氩弧焊打底、自动氩弧焊焊接,有效地控制了焊接接头缺陷的产生.此工艺方法合理,获得了良好的焊缝组织和焊接接头力学性能.

关键词: TA2 , 焊接 , 钨极氩弧焊 , 焊缝组织 , 力学性能

2011年度利基金获奖科学家年轻化突出

中国材料进展

2011年8日下午,利基金2011年度颁奖大会在京举行。我国高性能计算机领域杰出科学家、国防科技大学杨学军教授荣获“科学与技术成就奖”,丁伟岳等35人获“科学与技术进步奖”,吴朝晖等15人获“科学与技术创新奖”。中共中央政治局委员、国务委员刘延东向大会发来贺信,全国人大常委会副委员长桑国卫、全国政协副主席万钢出席会议并为获奖代表颁奖。利基金评选委员会主任朱丽兰向大会作工作报告。

关键词: 科学家 , 基金 , 中共中央政治局 , 全国人大常委会 , 突出 , 国防科技大学 , 计算机领域 , 科学与技术

低能离子束辅对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。

关键词: TiN薄膜 , null , null

低能离子束辅对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.

关键词: TiN薄膜 , 物理气相沉积(PVD) , 择优取向 , 离子照射

纳米磁靶向复合材料的研究进

秦润华 , 姜炜 , 刘宏英 , 李凤生

材料导报

纳米磁靶向复合材料将纳米技术和磁靶向技术有机结合起来,借助纳米磁性材料的奇异特性,在肿瘤的磁靶向治疗领域具有很大的应用潜力而备受关注.介绍了纳米磁靶向复合材料的组成、制备及应用于肿瘤磁靶向治疗中的研究进展,并对其发展前景进行了展望.

关键词: 纳米 , 磁靶向 , 复合材料

撞击流技术炭超微粒化中的应用

鄢菁 , 张小宁

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2000.10.005

采用高速撞击流方法制备超微粒炭黑。炭黑颗粒的粒度可粉碎至纳米级(1~100nm),且粒度分布窄。介绍了撞击流的试验方法。讨论了影响超微粒炭黑分散性的因素及其粒度测试与分析。

关键词: 撞击流 , 炭黑 , 超微粒子

LiNiO2正极材料的制备技术及进

见超 , 赖欣 , 史芳 , 高道江 , 毕剑 , 张姝 , 徐成刚

材料导报

LiNiO2被认为是当前最具吸引力的锂离子电池正极材料之一.概述了LiNiO2正极材料的制备技术,重点介绍了软溶液工艺的几种技术(包括水热技术、电化学技术和水热电化学技术)在制备LiNiO2薄膜中的应用和特点,并对LiNiO2正极材料制备技术的发展趋势进行了展望.

关键词: 锂离子电池 , 正极材料 , LiNiO2 , 制备技术

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