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两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响

采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.

关键词: Ge薄膜 , 低温Ge缓冲层 , 射频磁控溅射

溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响

叶小松 , 王茺 , 关中杰 , 靳映霞 , 李亮 , 杨宇

功能材料

利用磁控溅射技术在Si（100）衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。

关键词: 磁控溅射 , Ge/Si纳米点 , 表面形貌 , 热化

3～10℃高灵敏度感温磁控开关

崔利亚 , 潘伟 , 周少雄

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2000.01.006

研究了使用温度范围在3～10℃(±3℃)的感温磁控开关,开关中的感温导磁体和恒磁源分别用Cu-Ni-Si-Mn合金和快淬Nd-Fe-B粘结磁体制成.并对开关中恒磁源磁环和感温导磁体磁环的设计进行了讨论,重点对恒磁源的轴向场进行了理论计算和分析以及实际测量.

关键词: 感温磁控 , 开关 , Cu-Ni-Si-Mn合金 , Nd-Fe-B粘结磁体 , 轴向磁场

PECVD法生长氮化硅工艺的研究

吴清鑫 , 陈光红 , 于映 , 罗仲梓

功能材料

采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.

关键词: PECVD , 氮化硅 , 聚酰亚胺 , 残余应力 , 射频MEMS开关

黄金冶炼焙烧烟气中砷的回收

王金生 , 连海瑛 , 蹇令兰 , 薛树斌 , 侯金刚 , 董凤书

黄金 doi:10.11792/hj20130716

采用二段焙烧法对含砷复杂金精矿进行预处理，且回收烟气中的As2 O3。通过潼关中金冶炼有限责任公司生产实践，介绍了黄金冶炼焙烧烟气中砷回收的工艺，分析了砷回收系统的设备特点、操作技术条件以及重要的技术参数，为含砷金精矿预处理工艺的环境保护提供了科学依据。

关键词: 二段焙烧 , 烟气 , 喷雾冷却塔 , 回收砷

中孔材料的研究进展I:合成

逄杰斌 , 丘坤元 , WEI Yen

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.004

近几年中孔材料的研究非常活跃,本文对中孔材料合成的最新进展进行了综述.从表面活性剂模板法和非表面活性剂模板法合成中孔材料两方面,对有关中孔材料骨架成分的调节、中孔材料形态及孔径的控制、以及提高中孔材料的水热稳定性等的最新研究成果进行了总结.

关键词: 中孔材料 , 表面活性剂模板法 , 非表面活性剂模板法 , 合成 , 综述

高压开关用环氧浇注件耐热性能的研究

费龙菲

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.01.009

探讨了高压开关用环氧浇注件耐热性的概念和要求.研究了环氧浇注件的玻璃化转变温度附近的介电常数ε与介质损耗 tanδ、弯曲弹性模量( Ef)、比热( Cp)的变化,阐述了用环氧浇注件的热变形温度( HDT)和玻璃化温度( Tg)来衡量其耐热性的合理性;研究了 Tg与 HDT之间的定量关系. 由于环氧浇注件在高压开关中除了绝缘作用外还起着支撑作用,在热态下机械强度的下降先于其它性能的变化,因此应以满足最低机械强度时的温度作为环氧浇注件的耐热温度.

关键词: 高压开关 , 环氧浇注件 , 耐热性能 , 玻璃化转变温度 , 热变形温度

MOPO/SiO2催化剂上丙烷选择氧化制丙烯醛反应机理

李荣春 , 伊晓东 , 章小兵 , 黄传敬 , 翁维正 , 万惠霖

催化学报

考察了丙烷以及丙烷选择氧化反应的有关中间体或其探针分子(如丙烯、烯丙醇、异丙醇和正丙醇)和产物(如丙烯醛、丙酮和丙醛)在MoPO/SiO2催化剂上的反应行为,用以探明该催化剂上丙烷选择氧化制丙烯醛反应的可能路径.结果表明,异丙氧基是MoPO/SiO2催化剂上丙烷选择氧化制丙烯醛反应的主要中间体,异丙氧基脱β-H生成丙烯或脱α-H生成丙酮,而丙烯则经σ-氧烯丙基转化为丙烯醛.

关键词: 氧化钼 , 氧化硅 , 磷 , 丙烷 , 选择氧化 , 丙烯醛 , 反应机理

中性冷分子的操纵与控制及其最新实验进展

印建平

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.05.002

主要介绍了国际上有关中性分子操纵与控制及其几何分子光学器件的基本概念、基本原理、研究方案与结果及其最新进展.这些内容主要包括:极性冷分子的静电导引及其分子导管,中性分子的激光偏转(折射)及其分子棱镜,中性分子的激光聚焦及其分子透镜,中性分子的电、磁反射及其分子反射镜,冷分子样品的激光旋转操作及其光学离心机(分子马达)等.

关键词: 量子光学 , 分子光学 , 中性分子 , 操纵与控制 , 几何分子光学器件

高温度ACE格式连续能量点截面数据产生程序SIGACE的验证

李志峰 , 于涛 , 谢金森 , 秦勉

原子核物理评论

以最新发布的ENDF/B-VII.1评价库为基础,使用SIGACE程序将低温ACE格式中子截面文件加工成较高温度的ACE格式文件,生成了一个与温度相关的中子截面文档。为校核截面数据,选取ICT、标准CANDU组件燃料温度反应性系数、LWR栅格多普勒系数以及SEFOR基准题对SIGACE加工的核数据进行了验证。基准题计算结果均与参考值符合较好,表明SIGACE生成的高温度ACE格式截面数据可用于反应堆相关中子学参数的计算。

关键词: SIGACE , MCNP , 连续能量点截面文档 , 基准检验

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