樊晨
,
刘中柱
,
蔡开科
,
刘石虹
,
梁玫
,
巩飞
,
刘瑞宁
钢铁
采用示踪剂追踪、大样电解、金相分析和扫描电镜(SEM)、电子探针(EDS)等手段,对石钢转炉熔炼的45号钢中非金属夹杂物行为进行了全面系统的研究,根据研究结果,找出了现有生产工艺中影响连铸坯洁净度的主要因素,并提出了有针对性的工艺改进措施.
关键词:
连铸
,
洁净度
,
夹杂物
刘中柱
,
蔡开科
钢铁
采用示踪剂追踪、系统取样、综合分析等方法对国内某厂LD-RH-CC工艺生产低碳铝镇静钢过程钢水清洁度进行了系统研究,找出了现存工艺中影响钢水清洁度的主要因素,提出了进一步的改进措施.
关键词:
连铸
,
清洁度
,
炉渣控制
刘中柱
,
蔡开科
钢铁
简要探讨了纯净钢和洁净钢的概念,概述了近20年来国内外主要钢厂生产纯净钢过程中控制钢中杂质元素(主要是C、S、P、N、H、O)的技术进展,为我国纯净钢生产提供了有益的借鉴.
关键词:
纯净钢
,
炼钢
,
连铸
刘雪敏
,
刘中柱
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.05.023
建立了光孤子测量光纤应变的一个简单模型,研究如何利用卡曼滤波器对这个模型的测量数据进行处理,指出卡曼滤波在这种情况下是时间不变的.尽管光孤子到达时间的抖动正比于它的运行时间,但经过较长时间的测量,测量结果的方差可以保持为一常数,说明这个方案是可行的.
关键词:
光纤光学
,
光孤子
,
光纤应变
,
卡曼滤波
,
存储环
刘中柱
,
小林能直
,
长井寿
钢铁
采用TEM研究了薄带连铸低碳钢中的硫化铜析出行为及其与基体的位向关系.在试样(001)Cu2s∥(001)α-Fe中发现小于50nm的具有面心立方结构的硫化铜在晶内析出.这些纳米硫化铜与基体具有如下共格位向关系:和[110]Cu2S∥[110]α-Fe.采用热力学和动力学计算比较了硫化锰和硫化铜在奥氏体和铁素体中的析出行为.计算表明,与硫化锰相比,硫化铜在奥氏体低温区域和铁素体区域具有析出优势.带钢连铸过程中的快速冷却以及硫化铜和基体的共格关系导致了所观察到的纳米尺寸硫化铜.
关键词:
硫化铜
,
析出
,
位向关系
,
带钢连铸
荆德君
,
刘中柱
,
蔡开科
钢铁研究学报
基于Fe-C合金的微观组织结构,建立了碳钢线性热膨胀系数计算模型,计算出不同碳含量的钢种在不同温度下的瞬时线性热膨胀系数,并将计算值应用于铸坯热-弹-塑性应力模型,研究了包晶相变对连铸坯初生坯壳凝固收缩的影响.模拟结果表明:浇铸碳含量在0.1 %附近的包晶钢时,初生坯壳在靠近弯月面区域和角部区域的收缩很不规则,容易诱发表面缺陷.
关键词:
连铸
,
铸坯
,
包晶相变
,
热膨胀系数
,
热-弹-塑性应力模型
,
凝固收缩
万珍珠
,
吴世臣
,
刘中柱
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.03.020
当高斯脉冲串在光纤中运行时,脉冲功率耗散使光纤温度上升,引起光纤折射率变化,结果产生热折射噪声.在利用光孤子存储环探测引力红移时,热折射噪声会影响光孤子的运行时间,这种影响可以由研究高斯脉冲串给出.在光纤一维热传导方程的基础上,计算出了光纤温度涨落的上限,并确定了脉冲串总运行时间的上限跟脉冲串比特率的关系.通过该关系,人们可以根据运行时间的变化和测量装置灵敏度的要求来选择合适的脉冲串的比特率,从而对设计使用光孤子存储环之类的脉冲串的装置提供帮助,为光孤子存储环探测引力红移提供参考依据.
关键词:
非线性光纤光学
,
热折射噪声
,
脉冲耗散
,
高斯脉冲
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
李云南
,
房昌水
,
孙洵
,
顾庆天
,
王圣来
,
王坤鹏
,
王波
,
刘冰
,
张建芹
功能材料
目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个:溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.
关键词:
柱面扩展
,
生长习性
,
透过率
,
KDP晶体
