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3,4-二乙酰基-2,5-已二酮的电化学合成及其晶体结构

朱洪友 , 杨宗璐 , , 郁开北

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.021

以KI-NaI为电解质,丙酮为溶剂,用间接电氧化的方法对乙酰丙酮进行电解氧化偶联反应,高产率地得到了3,4-二乙酰基-2,5-已二酮,用IR、UV、1H NMR、高分辩质谱等对其进行了表征,并用X射线衍射测定了晶体结构.该晶体属正交晶系,Pbcn空间群,a=0.91390(10)nm,b=0.94050(10)nm,c=1.18610(10)nm,Z=4,Dc=1.291×103 kg/m3.XRD结果显示该分子完全以烯醇式存在,位于同一平面内,烯醇氢原子在分子内以不对称形式与邻近的氧原子缔合.

关键词: 间接电氧化 , 3 , 4-二乙酰基-2 , 5-已二酮 , 晶体结构 , I2/KI-NaI-丙酮 , 偶联

4-(2,5-二甲基-3,4-二乙酰基)-1-吡咯基苯甲酸的合成及其晶体结构

朱洪友 , 谢小光 , 杨宗璐 , , 郁开北

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.04.011

在强酸性介质中,3,4-二乙酰基-2,5-己二酮与对氨基苯甲酸作用,满意地得到了4-(2,5-二甲基-3,4-二乙酰基)-1-吡咯基苯甲酸,用IR、1H NMR、高分辩质谱等对其进行了表征,用X射线衍射测定了晶体结构.该晶体属三斜晶系,P1空间群,a=0.80950(10)nm,b=0.81910(10)nm,c=1.1900(2)nm,α=101.600(10)°,β=98.820(10)°,γ=104.960(10)°,Z=2,Dc=1.364×103kg/m3.拟合了苯环平面和吡咯环平面的平面方程,并求出两平面之间的二面角为68.11°.

关键词: 吡咯基苯甲酸 , 3 , 4-二乙酰基-2 , 5-己二酮 , 晶体结构 , 溶液晶体生长

2,5-二甲基-3,4-二乙酰基-1-(3-硝基苯基)吡咯的合成及晶体结构

朱洪友 , 杨宗璐 , , 郁开北

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.016

在酸性介质中,3,4-二乙酰基-2,5-己二酮与硝基苯胺作用,满意地得到了2,5-二甲基-3,4-二乙酰基-1-(硝基苯基)吡咯,用IR、1HNMR、高分辨质谱等对其进行了表征,并用X射线衍射测定了2,5-二甲基-3,4-二乙酰基-1-(3-硝基苯基)吡咯的晶体结构.该晶体属单斜晶系,P21/c空间群.晶体学数据如下:a=0.9375(1)nm,b=1.2814(2)nm,c=1.2985(1)nm,β=100.96(1)°,V=1.5315(3)nm3,Z=4,M=300.31,Dc=1.302×103kg/m3.

关键词: 吡咯 , 3,4-二乙酰基-2,5-己二酮 , 硝基苯胺 , 晶体结构

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

离心倾液法与晶Si的生长

王渠东 , 于文江 , 金俊泽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.020

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法--离心倾液法.用该方法获得了过共晶Al-Si合金晶的Si的生长形貌,发现了晶Si存在位错台阶生长机制,并且,借助该生长机制成功地解释了晶Si的分枝和晶Si包裹共晶组织的形成机理.此外,观察到了共晶体包裹晶Si生长的过程.

关键词: 离心倾液法 , 固-液界面 , 晶Si , 台阶生长

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