温久然
,
刘开平
,
孙志华
,
刘存强
表面技术
目的 解决玻璃的防雾问题.方法 采用溶胶-凝胶法在玻璃表面涂覆SiO2和TiO2复合薄膜,以改变玻璃表面的亲水性.通过全因素试验研究了SiO2溶胶的制备温度、SiO2薄膜的层数及TiO2薄膜的层数对玻璃亲水性的影响.结果 SiO2溶胶的制备温度对玻璃的亲水性影响最大,其次是SiO2层数,最后才是TiO2的层数.随SiO2溶胶的制备温度的升高,以及SiO2层数和TiO2层数的增加,玻璃的亲水性先上升,后基本保持不变.结论 玻璃表面亲水改性最佳制备工艺条件是SiO2溶胶制备温度为60℃,2层SiO2薄膜和2层TiO2薄膜.
关键词:
二氧化钛
,
二氧化硅
,
复合薄膜
,
玻璃
,
亲水性
郝亚茹
,
邓招奇
,
邓春健
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0470
针对LED显示控制系统中移存频率受限于SDRAM的有效读取频率的问题,提出一种加速移存频率的方法.以LED显示控制系统的硬件逻辑为基础,建立扫描频率、移存频率、SDRAM有效读取频率等关键参数的相关数学模型,分析影响扫描频率的各种因素,提出图像数据拆分重组算法用于提高SDRAM的有效读取频率和移存频率.利用硬件逻辑实现该算法后,移存频率由原来的8.25 MHz提升到66 MHz,这就可以最大限度的发挥LED灯驱动芯片的移存能力,LED显示屏扫描频率也随之大幅提高.
关键词:
移存频率
,
SDRAM
,
扫描频率
,
拆分重组
王玉山
,
王燕
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2002.07.004
针对寿王坟铜矿的空区存窿矿石进行了室内摇瓶浸出试验和柱浸试验.试验表明寿王坟铜矿的矿石仅采用化学浸出,铜的浸出率较低,为46%左右,采用细菌浸出可将铜的浸出率提高26%,达72%.铜的浸出率与矿石的粒度成反比,即矿石的粒度越大,铜的浸出率越小.在生产中,先用酸浸出,然后再用细菌浸出的方案,既可加快铜的浸出,又可以降低浸矿时的酸耗,降低生产成本.
关键词:
溶浸
,
采矿
,
资源利用
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(刘等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
陈旭荣
,
王荣
,
何军
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.001
在强子物理研究中,3π产生的理论和实验有非常重要的意义,是目前世界上很多大型实验设备的重要研究对象.3πt强子物理包含丰富的物理内容,可以作为探索低能区强相互作用的有力工具.同时,3πt产生过程是寻找奇特轻介子态的主要途径之一.另外,通过研究3π产生反应道还可以寻找“失踪”共振态和重子激发态之间的级联衰变.介绍了目前国际各大高能物理实验室的3πt产生过程的实验、理论研究以及分波分析技术现状,重点介绍了美国杰弗逊国家实验室(Jefferson Lab,简称JLab)的CLAS(CEBAF Large Acceptance Spectrometer)实验上的3πt反应过程.最后,指出了3π强子物理研究的意义和未来的研究方向.
关键词:
3π
,
奇特态
,
重子谱
,
三级级联衰变
,
分波分析
彭涛
,
辜承林
材料导报
在脉冲强磁体设计中,磁应力是我们面临的最大挑战,当磁场强度达到100T时,磁体绕组中的磁应力高达4GPa,这是目前任何实用导体材料都无法承受的,因此,脉冲强磁体的发展在很大程度上取决于磁应力的解决情况.文章从提高导体材料机械强度的角度出发,介绍了目前各种导体材料的加工过程和技术参数,包括铜、铜宏复合导体材料、铜微复合导体材料、多层绞线复合导体材料等.
关键词:
脉冲强磁场
,
磁体
,
电导率
,
机械强度