欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(10818)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能

, 李虹艳 , 卢正欣 , 高坤 , 井晓天

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.004

采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49.57%Ni-5.6%Cu合金薄膜.XRD图谱表明,该薄膜为非晶态.对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0.5 h、650℃×0.5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2.7%;90 MPa、1.4%.

关键词: 硅基片 , 直流磁控溅射 , TiNiCu薄膜 , 非晶态 , 晶化 , 退火 , 形状记忆 , 恢复应力 , 恢复应变

不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的组织与相变

, 卢正欣 , 井晓天

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.01.015

利用TEM、XRD、DSC测试方法,首次系统地研究了直流磁控溅射制备的3种不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的退火组织和加热与冷却过程中发生的相变.结果表明:退火后的薄膜获得了形状记忆性能;随着薄膜中Cu含量的增加,薄膜的退火组织出现差异,相变滞后明显变小,相变温区变窄;使获得快速响应的形状记忆合金薄膜成为可能.

关键词: TiNiCu形状记忆合金 , 薄膜 , 相变

磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究

, 卢正欣 , 井晓天

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.06.016

优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律.采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析.结果表明,经650℃、0.5 h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆效应.室温下基体组织为立方结构的B2相.溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化;而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高,但溅射功率再增大则沉积速率降低;薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致,不存在成分离散问题.

关键词: Ti-Ni-Cu , 薄膜 , 磁控溅射 , 非晶 , 形状记忆

无阈值电液晶

黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.02.001

简要介绍电、 反电液晶的发现、 发展、 显示应用中遇到的问题以及近来发展起来的无阈值电液晶的研究结果。 最后讨论无阈值电液晶应用前景。

关键词: 无阈值 , 电液晶 , 聚合物网络

辊镀铜工艺

迟洪训

电镀与涂饰

介绍了一种基于滚镀预镀氰化铜的辊酸性镀铜工艺,其主要工序包括修复、除锈、预镀、滚镀等.给出了工艺配方及操作条件.该工艺提高了底镀层与基体的结合力,解决了镀层起泡及漏镀问题,节约了电镀材料,降低了污染,提高了生产效率.

关键词: , 镀铜 , 滚镀 , 氰化物 , 活化

的状态分析

陆金生 , 罗锐 , 李万华

钢铁

首次提出烧结矿、铁矿石及球团矿中两价的X射线衍射复相净强度测试法及其计算普适式。与经典的化学分析方法相比,提高了分析速度,获得更高的重现性,克服了变价元素对两价测试的干扰,使测试结果更准确。与X射线衍射单相强度测试法相比,适用更广泛,即使Fe3O4相以外的其他两价物相含量变化时,仍然可以给出准确的分析结果。本方法还可以测定Fe3O4相及Fe2O3相的含量,提供与两价相关物相的晶体结构及结晶学参数。为烧结过程的在线分析,炼铁生产的质量监控,及时提供重要数据。

关键词: X射线衍射 , 烧结矿 , 两价 , 多相分析法

电场诱导PZST陶瓷反电-电相变

杨同青 , 刘鹏 , 翟继卫 , 张良莹 , 姚熹

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.03.019

研究了 PZST陶瓷电场诱导反电-电相变,当外加电场大于相变临界参数EAFE-FE时,样品由反电态诱导为电态,并在宏观性能上产生突变:极化强度和纵向应变分别由零跃变到大约30μC/cm2和0.3%,介电常数下降50%.利用直流偏压原位X射线衍射表征了相变时晶格结构的变化,结果表明,伴随着相变的发生,晶格结构由反电四方相转变为电三方相.

关键词: , 电场诱导相变 , 陶瓷

电超晶格薄膜

郝兰众 , 李燕 , 刘云杰 , 邓宏

功能材料

介质电超晶格薄膜是一类新型的薄膜材料,已逐渐开始受到重视,成为研究的热点.本文主要分析了电超晶格薄膜的结构特点、组分材料、介电铁电性能;介绍了其在实际中的应用以及在近几年的发展;概括了几种常用的介质电超晶格薄膜的生长技术及其影响因素;最后对电超晶格薄膜的发展和应用前景进行了展望.

关键词: 电超晶格 , y薄膜 , 分子束外延

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共1082页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词