刘安玲
,
张为俊
,
高晓明
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.018
由于受激布里渊散射(SBS)介质大多为液体和气体,当提高重复运转频率或延长泵浦脉冲的持续时间时,其中的热积累和热驰豫将严重影响甚至破坏SBS的形成及其共轭品质.为改善SBS在高重复频率下的工作性能,实验考察了具有SBS相位共轭镜的MOPA(Master-oscillator-power-amplifier)系统中泵浦光发散度对布里渊池重复运转特性的影响.结果表明:降低泵浦光发散度有利于提高布里渊池的重复运转频率及改善SBS的时空特性,但会增加SBS阈值,减小布里渊池工作的泵浦能量范围,同时,保真度略有下降.
关键词:
非线性光学
,
受激布里渊散射
,
发散度
,
重复频率
史晓霞
,
云国宏
,
周文平
低温物理学报
利用二次量子化方法研究了由相同面心立方结构(100)材料构成的铁磁性双层薄膜,重点讨论了铁磁性界面交换作用(JABB>0)和反铁磁性界面交换作用(JAB<0)对体系二维布里渊区能带结构的影响.结果表明,当界面交换作用大于体交换作用时,在体模上方出现光学型界面模;当界面交换作用小于体交换作用时,在体模下方出现声学型界面模.特别的是,当铁磁性界面交换作用大小在零与体交换作用之间时,在面心立方结构中同样能出现声学型界面模,这与简立方结构有明显区别.并且讨论了不同界面交换作用时宇称对界面模的影响.
关键词:
铁磁性双层薄膜
,
面心立方
,
界面交换作用
,
界面模
,
体模
李宝吉
,
吴渊渊
,
陆书龙
,
张继军
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.007
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征.结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度.通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则.这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生.
关键词:
InGaN
,
图形化衬底
,
分子束外延
,
晶体质量
工程热物理学报
根据《吴仲华奖励基金章程》(吴奖[2008]01号),经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐,吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”,授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。
关键词:
基金
,
奖励
,
评选
,
获奖者
,
中国科学院
,
青年学者
,
物理研究所
,
高等院校
工程热物理学报
根据《吴仲华奖励基金章程》(吴奖[2010]01号),经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐,以及吴仲华奖励基金理事会评审,决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”,授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。
关键词:
基金
,
奖励
,
获奖者
,
中国科学院
,
评选
,
青年学者
,
物理研究所
,
物理学会