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应用V(V)-二苯偶氮羰酰肼(DPCO)-CTMAB显色体系测定了油品中微量钒,考察了测定条件,建立了测定微量钒的新方法.络合物的最大吸收波长位于540 nm,表观摩尔吸光系数为4.5×104.在25 mL溶液中,钒含量在0～27.5μg范围内符合比尔定律.以盐酸羟胺和硫脲作掩蔽剂消除油品中Fe3+,Cu2+,Ni2+等干扰.实际油样分析结果的相对标准偏差不大于3.5%;加标回收率为95.8%～104.2%.方法简便、灵敏、准确,适用于油品中微量钒的测定.

关键词: 钒 , 二苯偶氮羰酰肼 , 溴化十六烷基三甲基铵 , 分光光度法 , 油品

推焦机构主令控制系统的改造

李俊平 , 李东风 , 苏艳斌 , 陈欣

金属世界 doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2008.05.017

介绍ZNLK系列智能主令控制器在6m焦炉上的应用,着重阐述了智能主令控制器的结构、原理以及应用效果.

关键词: 智能主令控制器 , PLC , 推焦机构

量子纠缠信令传输损伤模型及修复策略研究

任娟 , 聂敏 , 刘晓慧

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.06.009

为了建立量子纠缠信令在自由空间传输时的损伤模型,提出了信令传输损伤度与传输距离的关系,给出了量子信令的中继方案和信令损伤修复策略.仿真结果表明,在收、发两端望远镜的孔径数值、传输因子和载体光子的波长三个参数一定的情况下,传输损伤度与距离、定位损耗密切相关,定位损耗的变化对信令传输损伤度影响很小.因此,影响信令传输损伤度的主要因素是通信距离,量子信令在自由空间的远距离传送需要增加中继器.

关键词: 量子光学 , 信令损伤模型 , 量子纠缠信令 , 传输损伤度 , 量子中继

基于保真度的量子信令纠缠交换最佳交换速率

徐华成 , 聂敏 , 杨光

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.02.007

为了解决量子信令交换的最佳交换速率问题,提出了基于保真度的量子信令纠缠交换最佳交换速率算法.根据量子信令纠缠交换方案,分析了由量子混合态组成的信令保真度.针对单输入单输出系统(SISO)和多输入多输出系统(MIMO),讨论了影响量子信令交换速率的各种因素,计算得出最佳交换速率.仿真结果表明,在保真度为97％时,最佳交换速率为100 qubit/s,该指标完全能够满足量子通信对信令交换的要求,对于构建未来量子通信系统有着重要的技术支撑作用.

关键词: 量子光学 , 量子信令网 , 纠缠交换 , 保真度 , 最佳交换速率

量子信令分层模型及纠缠分发层功能的实现策略

姜劲雅 , 聂敏 , 刘晓慧

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.05.007

提出了量子信令的分层模型,分析了各层的功能.针对量子移动通信网与量子固定通信网之间量子信令传递与交换的各种情况,研究了纠缠分发层功能的实现策略.结果表明,所提出的量子信令分层模型,各层功能完善,不仅可以满足未来多用户量子通信的需要,而且分发层功能的实现策略能够适应不同网络之间量子通信的情况,具有很好的通用性.研究结果对于未来量子信令标准的制定具有很好的技术支撑作用.

关键词: 量子通信 , 量子信令 , 分层模型 , 分发层功能 , 量子态纯化 , 纠缠中继

基于两级偏振分光镜的量子信令纯化方案

薛乐 , 聂敏

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.05.010

为解决量子信令在远距离传输过程中的纯化中继问题,提出了基于两级偏振分光镜的纠缠纯化方案.采用三个偏振分光镜构建方案,第一级含一个偏振分光镜,第二级有两个偏振分光镜,让混合态的量子信令纠缠态通过两级偏振分光镜后,会产生一对新的纠缠态,继而用新的纠缠态来替代原来的混合态,最终实现纯化的目的.对每一种输入态进行分析验证,结果表明,所提出的纠缠纯化方案可以有效地实现量子信令的纯化,具有很好的应用性和操作性.该方案的研究对未来量子通信中信令的传输具有一定的技术参考作用.

关键词: 量子光学 , 量子信令 , 偏振分光镜 , 纠缠纯化 , 纠缠态

低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。

关键词: TiN薄膜 , null , null

低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.

关键词: TiN薄膜 , 物理气相沉积(PVD) , 择优取向 , 离子照射