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NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

殿 , 刘宏新 , 王军喜 , 王晓亮 , 刘成海 , 曾一平 , 李晋闽 , 林兰英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013

介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).

关键词: 氮化镓 , GaN , 分子束外延 , 二维电子气 , 极化

气态源分子束外延生长GexSi1-x/Si异质结合金

刘学锋 , 李建平 , 殿

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.01.005

采用气态源分子束外延法成功地生长了GexSi1-x/Si异质结合金材料, 所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷. 高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态. 在一定的生长温度下, GexSi1-x合金组分x取决于锗烷和乙硅烷的流量比. 外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关. 结果表明, 较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长.

关键词: GexSi1-x异质结 , 气态源分子束外延 , 共度生长 , 晶格匹配

胶西北前家—洼家断裂带构造地球化学找矿预测

祝涛 , 杨斌

黄金 doi:10.11792/hj20160103

马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前家—洼家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前家—洼家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.

关键词: 找矿预测 , 构造地球化学 , 多元统计分析 , 家—洼家断裂带

故宫大高玄殿古建筑群多层彩画颜料成分研究

雷中宾 , 吴玉清 , 张涛 , 王菊琳

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.02.002

目的 首次对世界文化遗产——故宫大高玄殿古建筑群彩画颜料进行分析,以期为修缮前彩画颜料历史信息的提取、档案的建立,彩画制作年代的判断,彩画的修缮提供依据.方法 通过偏光显微镜(PLM)、扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS)、拉曼光谱仪(Raman)等手段对大高玄殿多层彩画的颜料样品进行综合分析测试.结果 得到树脂包覆多层颜料封样的剖面结构照片,偏光显微镜和SEM得到5个样品共12层颜料的颗粒形貌特征,通过SEM-EDS测得各颜料中的元素及含量,拉曼光谱测得颜料的谱峰位置信息.多种手段相互补充和佐证,综合得出多层彩画样品各层颜料成分.结论 彩画绿色颜料主要含有氯铜矿、孔雀石、橄榄铜矿、巴黎绿,蓝色颜料主要含有蓝铜矿和群青,红色颜料主要含有铁红、朱砂、铅丹,黑色颜料含有炭黑,白色颜料含有方解石.内层一般是传统颜料,而外层发现了合成群青、巴黎绿等近代颜料.

关键词: 故宫 , 大高玄殿 , 古建筑 , 彩画 , 颜料 , 拉曼光谱 , SEM-EDS , 偏光显微镜

低能离子束辅对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。

关键词: TiN薄膜 , null , null

低能离子束辅对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.

关键词: TiN薄膜 , 物理气相沉积(PVD) , 择优取向 , 离子照射

纳米磁靶向复合材料的研究进

秦润华 , 姜炜 , 刘宏英 , 李凤生

材料导报

纳米磁靶向复合材料将纳米技术和磁靶向技术有机结合起来,借助纳米磁性材料的奇异特性,在肿瘤的磁靶向治疗领域具有很大的应用潜力而备受关注.介绍了纳米磁靶向复合材料的组成、制备及应用于肿瘤磁靶向治疗中的研究进展,并对其发展前景进行了展望.

关键词: 纳米 , 磁靶向 , 复合材料

撞击流技术炭超微粒化中的应用

鄢菁 , 张小宁

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2000.10.005

采用高速撞击流方法制备超微粒炭黑。炭黑颗粒的粒度可粉碎至纳米级(1~100nm),且粒度分布窄。介绍了撞击流的试验方法。讨论了影响超微粒炭黑分散性的因素及其粒度测试与分析。

关键词: 撞击流 , 炭黑 , 超微粒子

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