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射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

赵占霞 , 栗敏 , 詹颜 , 王德明 , 马忠权 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.

关键词: 纳米硅薄膜 , RF溅射 , Ⅰ-Ⅴ曲线 , 能带模型

胶西北前家—洼家断裂带构造地球化学找矿预测

祝涛 , 杨斌

黄金 doi:10.11792/hj20160103

马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前家—洼家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前家—洼家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.

关键词: 找矿预测 , 构造地球化学 , 多元统计分析 , 家—洼家断裂带

无阈值电液晶

黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.02.001

简要介绍电、 反电液晶的发现、 发展、 显示应用中遇到的问题以及近来发展起来的无阈值电液晶的研究结果。 最后讨论无阈值电液晶应用前景。

关键词: 无阈值 , 电液晶 , 聚合物网络

辊镀铜工艺

迟洪训

电镀与涂饰

介绍了一种基于滚镀预镀氰化铜的辊酸性镀铜工艺,其主要工序包括修复、除锈、预镀、滚镀等.给出了工艺配方及操作条件.该工艺提高了底镀层与基体的结合力,解决了镀层起泡及漏镀问题,节约了电镀材料,降低了污染,提高了生产效率.

关键词: , 镀铜 , 滚镀 , 氰化物 , 活化

的状态分析

陆金生 , 罗锐 , 李万华

钢铁

首次提出烧结矿、铁矿石及球团矿中两价的X射线衍射复相净强度测试法及其计算普适式。与经典的化学分析方法相比,提高了分析速度,获得更高的重现性,克服了变价元素对两价测试的干扰,使测试结果更准确。与X射线衍射单相强度测试法相比,适用更广泛,即使Fe3O4相以外的其他两价物相含量变化时,仍然可以给出准确的分析结果。本方法还可以测定Fe3O4相及Fe2O3相的含量,提供与两价相关物相的晶体结构及结晶学参数。为烧结过程的在线分析,炼铁生产的质量监控,及时提供重要数据。

关键词: X射线衍射 , 烧结矿 , 两价 , 多相分析法

电场诱导PZST陶瓷反电-电相变

杨同青 , 刘鹏 , 翟继卫 , 张良莹 , 姚熹

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.03.019

研究了 PZST陶瓷电场诱导反电-电相变,当外加电场大于相变临界参数EAFE-FE时,样品由反电态诱导为电态,并在宏观性能上产生突变:极化强度和纵向应变分别由零跃变到大约30μC/cm2和0.3%,介电常数下降50%.利用直流偏压原位X射线衍射表征了相变时晶格结构的变化,结果表明,伴随着相变的发生,晶格结构由反电四方相转变为电三方相.

关键词: , 电场诱导相变 , 陶瓷

电超晶格薄膜

郝兰众 , 李燕 , 刘云杰 , 邓宏

功能材料

介质电超晶格薄膜是一类新型的薄膜材料,已逐渐开始受到重视,成为研究的热点.本文主要分析了电超晶格薄膜的结构特点、组分材料、介电铁电性能;介绍了其在实际中的应用以及在近几年的发展;概括了几种常用的介质电超晶格薄膜的生长技术及其影响因素;最后对电超晶格薄膜的发展和应用前景进行了展望.

关键词: 电超晶格 , y薄膜 , 分子束外延

MnZn铁氧体材料

冯则坤 , 黄爱萍 , 何华辉 , 谭福清

材料导报

介绍了贫MnZn铁氧体材料配方、工艺及磁特性.通过优化配方、掺杂及工艺,可以获得高的磁导率、高电阻率特性的材料,贫MnZn铁氧体材料的电阻率与富的相比,可高达1000倍以上,其优良的高频特性与NiZn铁氧体相近.提出了贫MnZn铁氧体居里温度的经验公式.

关键词: MnZn铁氧体 , 磁导率 , 居里温度

闪速燃烧合成氮化硅

祝少军 , 加林 , 陈俊红 , 占华生 , 洪彦若

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.04.008

利用闪速燃烧合成新技术,以粒度≤0.088mm的FeSi75硅细粉为原料,在0.2 MPa的低氮气压力与1400℃的燃烧温度条件下,制备了细蜂窝状氮化硅.XRD和SEM分析结果表明,这种氮化硅主要由短柱状β-Si3N4相和Si3Fe相组成,其结构特征是以Si3Fe形成核心,并被Si3N4包裹.同时,还用热力学原理探讨了由硅闪速燃烧合成氮化硅的工艺条件、形成产物的形式、反应的中间产物和残留金属的形态.热力学研究结论和实验检测结果相一致,从而在理论上阐明了闪速燃烧合成是制备氮化硅的一种理想工艺.

关键词: 氮化硅 , 闪速燃烧合成 , , 热力学

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