孙启利
,
邓书康
,
申兰先
,
胡志华
,
李德聪
,
晒旭霞
,
孟代义
人工晶体学报
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Sisubstrate,并在真空中进行后续退火.采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理.结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si (111)择优取向.样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长.退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20 μm.然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5h后,薄膜依然是非晶硅状态.差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅薄膜
,
应力诱导
,
非晶硅
,
电子束蒸发
彭南海
,
邵拥军
,
刘忠法
,
汪程
中国有色金属学报
山西繁峙县义兴寨金矿田位于晋东北地区NW向中生代构造岩浆活动带中.以义兴寨、辛庄金矿床为研究对象,分析本区关键控矿因素、成矿物质来源、成矿流体来源及其演化,进而开展矿田成矿机理的研究.结果表明:本区构造具有多期活动的特征,规模较大的NW向区域性张性大断裂为本区的控岩、导矿及配矿构造,次级NNW向压-张扭性断裂裂隙为容矿构造,不同形式、不同级别的构造是成矿最重要的控制因素.S、Pb、H、O同位素组成及微量元素地球化学特征表明,岩浆活动为本区提供了成矿物质及成矿流体.流体包裹体特征及宏观地质特征表明,成矿过程中成矿流体发生了沸腾作用,引起CO2、H2S等的逸失,含金络合物稳定性遭受破坏,导致Au的大规模沉淀,流体的沸腾是矿质沉淀的主要机制.
关键词:
义兴寨金矿田
,
关键控矿因素
,
成矿物质
,
成矿流体
,
演化
,
成矿机理
袁诗璞
电镀与涂饰
随着镍价格的上涨,各种代镍节镍工艺应运而生.对生产中使用的各种代镍、节镍工艺包括钢铁件浸镀铜,无氰碱铜,电镀铜锡合金、镍铁合金,纳米镀镍,薄层亮镍和用锌或锌合金打底镀装饰铬等进行了评述.介绍了一些镀薄镍后封闭的方法.
关键词:
代镍
,
节镍
,
镀铜
,
镀锌
,
封闭
陈翔峰
,
曾庆磊
,
曾登峰
,
陶乃旺
材料开发与应用
介绍了代森锌的结构、理化性质及危害,总结了分光光度法、顶空气相色谱法、高效液相色谱、液相色谱串联质谱法等对代森锌定性定量分析方法,提出各检测方法的优缺点,并对防污涂料中代森锌的检测进行了先期研究.
关键词:
代森锌
,
防污涂料
,
检测分析
洪燕
,
季孟波
,
刘勇
,
魏子栋
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.05.006
为了取代重污染的六价铬电镀,实现清洁生产,保护生态环境,人们开发了三价铬电镀工艺和代铬工艺.介绍了三价铬电镀和代铬电镀工艺及其性能特点,提出了三价铬电镀的研究方向.硬铬镀层以硬度高达800~1 000 HV成为最硬的镀层,复合镀层目前作为主要的代硬铬层,概述了其研究动态,同时分析了三价铬镀硬铬镀层厚度在电镀一定时间后镀层不再增厚的原因.
关键词:
电镀
,
三价铬
,
代铬工艺
,
六价铬
,
硬铬