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溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

锁良 , 贾长江 , 郝彦磊 , 史守山 , , 李钗 , 娄建忠 , 刘保亭 , 闫小兵

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80~150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500~800nm可见光区平均透过率超过90%.

关键词: In-Ga-Zn-O薄膜 , 溅射功率 , 电阻率 , 禁带宽度 , 透过率

含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究

闫小兵 , 史守山 , 贾长江 , , 李钗 , 李俊颖 , 娄建忠 , 刘保亭

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt结构的阻变存储器件单元.器件的有效开关次数可达200次以上.利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1 ×105 s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性.器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上.在9mA的限制电流下,器件的低阻态为500 Ω,有利于降低电路的功耗.氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOx发挥着氧离子库的作用.阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开.

关键词: 阻变开关 , STO , Ti反应电极 , 开关机制 , 脉冲激光沉积

射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响

娄建忠 , 李钗 , , 马蕾 , 江子荣 , 王峰 , 闫小兵

功能材料

利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20~60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。

关键词: RF-PECVD , nc-Si∶H薄膜 , 结构特征 , 光学特性

含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性

娄建忠 , 贾长江 , 郝华 , , 史守山 , 闫小兵

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元.所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应.对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104 s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性.阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解.

关键词: 阻变开关 , IGZO薄膜 , Ag电极 , 开关机制

真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究

闫小兵 , , 贾长江 , 史守山 , 娄建忠 , 刘保亭

人工晶体学报

采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火.研究了不同退火温度对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大.透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500~ 800 nm可见光区平均透过率超过80%,且在350 nm附近表现出较强的紫外吸收特性.经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350 ℃最大达到3.91 eV.

关键词: In-Ga-Zn-O薄膜 , 退火温度 , 磁控溅射 , 光学带隙

减温降计算模型

付国忠 , 刘建平 , 赵晓峰 , 刘建明 , 吕庆功 , 彭龙洲

钢铁

在对轧制时钢管的温降原因进行分析的基础上,给出一种定减温降计算模型,该模型考虑了辐射、接触传导、内部传导对温度的影响.通过对轧制实验测定得到钢管的温降数据与此模型实例计算的结果进行对比分析,表明该模型比较准确,能够满足生产实际的要求,可用于自动控制系统中定减温降的计算,从而为控制系统比较准确地对轧机进行设定及调整提供依据.

关键词: , 温降 , 模型

拉CFRP加固简支梁的动力特性分析

陈峰 , 周叮 , 刘朵 , 建东

玻璃钢/复合材料

采用弹性力学方法分析预拉CFRP加固简支梁的动力特性,研究各参数对加固梁自由振动特性的影响.首先将简支梁和CFRP沿界面分开,基于维弹性力学理论对梁进行动力学分析,利用弦理论对预拉CFRP进行动力学分析,通过界面间应力和位移的连续条件得到频率方程,由行列式搜根法数值计算各阶固有频率,数值结果与有限元软件ANSYS进行了比较,显示出了很好的一致性.研究表明,CFRP的加固效果随层数和预拉力增加而增强.

关键词: , CFRP , , 加固 , 固有频率

用NAA研究清凉寺窑和公巷窑青瓷胎的原料特征及来源

吴占军 , 赵维娟 , 鲁晓珂 , 孙新民 , 李国霞 , 郭敏 , 谢建忠 , 邱霞 , 冯松林 , 郭木森

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.04.008

为研究清凉寺窑汝瓷胎和公巷窑青瓷胎的原料特征及来源,选取37个清凉寺窑汝瓷胎样品(32个汝官瓷胎和5个汝民瓷胎)、32个公巷窑青瓷胎样品以及14个岩石样品,用中子活化分析(NAA)方法测得每个样品中的23种元素含量;使用散布分析及主成分分析方法处理NAA数据.结果表明:元素Fe,Ce,Ba,Ta,Th,La,Sm和Cr可作为区分汝官瓷胎和公巷窑青瓷胎原料产地的指纹元素;汝官瓷胎原料产地较集中,来源相对稳定;清凉寺窑汝民瓷胎料产地与汝官瓷基本相同,均为就地取材;公巷窑青瓷胎原料产地较为分散,与汝官瓷不同,但者距离相近.

关键词: 清凉寺窑 , 公巷窑 , 中子活化分析 , 主成分分析 , 散布分析

高压输电用耐线夹失效的原因

王若民 , 詹马骥 , 季坤 , 严波 , 王夫成 , 杜晓东

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201703023

通过对高压输电用耐线夹及夹持导线的宏观形貌、化学成分、腐蚀产物进行分析,探讨了该线夹腐蚀失效的原因.结果表明:该线夹在压接时即存在铝线断股现象,服役过程中使酸性雨水更易进入到压接管内部,对线夹与钢芯铝绞线结合面进行腐蚀生成腐蚀产物,导致耐线夹电阻增大;随着腐蚀的进行,线夹电阻不断增大,其温度也随之升高;当温度超过临界温度时,热平衡状态被打破,最终线夹过热,导致高温烧损失效;应加强线夹压接管位置的红外测温监控,及时更换温度明显异常的压接管.

关键词: 线夹 , 腐蚀 , 热击穿 , 钢芯铝绞线

冷轧机组测辊表面划伤的研究

陈松 , 符寒光

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2002.06.005

分析了宝钢1420冷轧酸轧机#机架后的测辊在正常轧制中产生的划伤问题,通过对测辊的表面状态、辊径、安装高度以及轴承的改进,彻底解决了因测辊表面划伤而直接导致带钢表面划伤的产品质量问题.

关键词: 酸轧机组 , , 冷轧带钢 , 表面划伤

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