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Cl-和SO42-对模拟混凝土孔隙液中钢筋腐蚀行为的影响

腐蚀学报（英文） doi:10.11903/1002.6495.2015.114

采用极化曲线和电化学阻抗技术研究了模拟液中Cl/SO42-比例及溶液浓度对钢筋在模拟混凝土孔隙液中腐蚀行为的影响.结果表明:当模拟液中m(Cl-)/m(SO42-)为1.5时,即溶液为亚氯盐渍土模拟液时,钢筋的腐蚀速率最大.钢筋的腐蚀速率随溶液中SO42-含量的增加呈先增大后减小趋势,在模拟混凝土孔隙液介质中,一定含量的SO42-会促进钢筋的腐蚀,而通过成比例增加溶液中SO42-及Cl-的含量,模拟腐蚀的渐变过程,发现钢筋的腐蚀速率逐渐减小.电镜形貌分析进一步说明腐蚀速率的减小与钢筋电极表面盐膜形成而导致的阴极过程扩散阻力有关.

关键词: 钢筋 , 模拟混凝土孔隙液 , Cl- , SO42-

大气环境下电网设备金属材料的腐蚀及服役寿命预测研究进展?

陈云翔 , 倪清钊 , 林德源 , 戴念维 , 洪毅成 , 张俊喜

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.21.014

电网安全是电力企业生存和发展的根本，随着电网的不断发展，对电网的安全性、可靠性提出了更高的要求。但在电网运行过程中安全形势依然面临严重威胁，其中，由于电网设备金属材料的腐蚀造成的设备安全问题较为普遍，输电网中金属部件的腐蚀失效、防护技术，以及服役寿命预测的研究日趋受到各地区电力部门的重视。结合电网设备金属部件的服役环境和腐蚀失效情况，综述了当前电网金属部件大气腐蚀的影响因素及其影响规律，介绍了当前大气环境下电网金属部件材料的服役寿命预测的分析方法，及在预测电网设备金属部件于大气环境中服役寿命的应用。

关键词: 电网设备 , 金属部件 , 大气腐蚀规律 , 服役寿命 , 预测方法

黎念之(Norman N·Li)先生简介

膜科学与技术

关键词:

黎念之博士荣获美国化学工业最高荣誉奖

孙本惠

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2000.02.016

关键词:

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

低维材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.

关键词: 低维材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低维材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低维材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二维方孔光栅的平面三维显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三维显示 , 纵横视差 , 像质因子

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光