马春红
,
马瑞新
,
李士娜
,
扈百直
,
钟景明
,
朱鸿民
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300 nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率.XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相；AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2× 10-4Ω·cm.电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加.ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87％,且随着温度的升高,吸收边发生“红移”,禁带宽度逐渐增加.
关键词:
掺铌ITO
,
透明导电薄膜
,
基片温度
,
性能
张树高
,
扈百直
,
吴义成
,
方勋华
,
黄伯云
功能材料
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末.粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化.热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层.实验研究了热等静压工艺参数--保温温度、保压压力和保温时间对ITO陶瓷靶材致密化的影响.实验结果表明:靶材的相对密度在大约1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低.分析了ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用.还分析了ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理.
关键词:
钢铝氧化物
,
陶瓷靶材
,
热等静压
,
致密化
周继勋
,
李小军
钢铁研究
针对铸机扇形段开口度超标更换频繁,结晶器倒锥度跑偏,铸坯偏析、内裂等精度控制不合格等问题,对直弧型连铸机扇形段进行了有效的过程控制,达到了铸机扇形段精度参数精确控制的要求,使扇形段使用寿命达到6个月以上,结晶器倒锥度和接缝超标控制在不大于1次/月。
关键词:
连铸机
,
扇形段
,
结晶器
,
精度控制
于志伟
,
许晓磊
,
刘路
金属学报
根据各向同性连续介质中的弹性应力场和Mises屈服准则,计算出直Volterra位错芯屈服区的二维几何构型.结果表明:在无限弹性体中,直刃型Volterra位错芯屈服区呈哑铃状,且在滑移面上屈服半宽度最大reg=5.9b(b为Burgers矢量模),攀移面上屈服半宽度最小rec=1.4b;直螺型Volterra位错芯屈服区为圆形,屈服半径rs=4.1b.在半无限弹性体中.受自由表面镜像位错的作用,直螺型位错芯屈服中心向表面偏移,屈服区形态依赖于直螺型位错线与自由表面的间距.
关键词:
Volterra位错
,
null
,
null
于志伟
,
许晓磊
,
刘路
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.03.003
根据各向同性连续介质中的弹性应力场和Mises屈服准则,计算出直Volterra位错芯屈服区的二维几何构型.结果表明:在无限弹性体中,直刃型Volterra位错芯屈服区呈哑铃状,且在滑移面上屈服半宽度最大reg=5.9b(b为Burgers矢量模),攀移面上屈服半宽度最小rec=1.4b;直螺型Volterra位错芯屈服区为圆形,屈服半径rs=4.1b.在半无限弹性体中.受自由表面镜像位错的作用,直螺型位错芯屈服中心向表面偏移,屈服区形态依赖于直螺型位错线与自由表面的间距.
关键词:
Volterra位错
,
屈服区
,
几何构型
徐松林
,
唐志平
,
戴翔宇
,
郭扬波
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.01.020
在Chanvillard关于非直纤维静态拔出模型基础上,建立非直纤维的细观动态模型.此模型通过纤维与基体接触界面剪应力的传递考虑纤维的动态拔出过程,并考虑应变率效应.同时,适当选取阈值,建立基于细观损伤演化的纤维脱粘和拔出动态模型.此模型可以很好地模拟Chanvillard关于非直纤维的静态实验结果,并能反映复合材料的应变率影响.
关键词:
细观动态模型
,
拔出行为
,
非直纤维
高全华
,
曾晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.003
双曲柱面-平面透镜在加工过程中,误差不可避免,使得透镜结构与理论值不符,难以达到最佳准直效果.基于光线追迹理论,对透镜准直半导体激光光束的特性进行了研究.用解析的方法,讨论了透镜的结构参数、材料折射率及光源与透镜间的距离对透镜准直效果的影响.结果表明:适当选择透镜结构参数、光源位置参数,可使透镜达到最佳准直效果.为双曲柱面-平面透镜准直性能的改善和半导体激光器快轴方向光束质量的提高,提供了理论依据.
关键词:
激光技术
,
准直
,
光线追迹
,
双曲柱面-平面透镜
