孙启利
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邓书康
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申兰先
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胡志华
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李德聪
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晒旭霞
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孟代义
人工晶体学报
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Sisubstrate,并在真空中进行后续退火.采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理.结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si (111)择优取向.样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长.退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20 μm.然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5h后,薄膜依然是非晶硅状态.差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅薄膜
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应力诱导
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非晶硅
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电子束蒸发
申兰先
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李德聪
,
邓书康
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孟代仪
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晒旭霞
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刘祖明
人工晶体学报
本文采用Sn自熔剂法,通过调节Ga的起始含量(Ba∶ Ga∶ Al∶ Sn =8∶x∶6∶50;x=10,20,30)实现对载流子进行调制,制备出具有p型和n型传导的Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明,随着Ga起始含量的增加,Al在化合物中的固溶度减小,材料的晶格常数也随之减小;x=10的样品Seebeck系数全部为负值,x=30的样品Seebeck系数全部为正值,而x=20的样品在450 K后由于本征激发Seebeck系数显著降低,在550 K附近由p型传导转变为n型传导;室温下具有p型传导的化合物具有较高的载流子浓度,但其迁移率显著降低,从而导致其相应的化合物具有较高的电阻率,因此通过对Ga起始含量的改变能够对化合物的载流子实现有效调控;此外,在300 ~600 K内均具有p型传导的样品室温下的载流子有效质量较n型样品的高;通过估算的热导率κ、实测电阻率和Seebeck系数,计算出x=30的p型单晶样品在457 K处获得最大ZT值0.86.
关键词:
Ⅷ型笼合物
,
载流子调制
,
热电传输特性
马一平
,
于贺
材料导报
测试了具有低太阳吸收率、高发射率的碱土金属碳酸盐的炎热地区“晒不热”涂料在不同模拟屋面上的降温效果.结果显示,在不同的屋面材料上涂刷“晒不热”涂料的降温效果不同,其中在油毛毡上涂刷“晒不热”涂料降温效果最好,可降温10.8℃;在砂浆板上涂刷“晒不热”涂料降温效果最差,降温2.5℃.在铁皮箱上测试24h的循环实验,白天与日间曝晒试验相符合,而夜间温度则要比环境温度低1~2℃,在不同季节的同一屋面的测试效果具有重复性.
关键词:
"晒不热"涂料
,
太阳吸收率
,
发射率
马一平
,
张崑
,
李远珊
材料导报
对具有低太阳吸收率、高发射率的碱土金属碳酸盐作为炎热地区"晒不热"涂料的热效果作了初步的探索.该材料在炎热地区白天晒不热效果明显.曝晒最大升温比普通热反射涂料低2~3℃;夜间辐射制冷最大降温比普通热反射涂料多降1~2℃;24h的循环实验仍然符合以上效果;价格低廉、来源广泛,适合于炎热地区使用.
关键词:
热效果
,
低太阳吸收率
,
高发射率
,
碱土金属碳酸盐
肖万峰
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李光明
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黄瀚霄
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马东
,
张智林
,
曲扎
黄金
doi:10.11792/hj20131005
班公湖-怒江成矿带跨班公湖-怒江缝合带两侧,是近年来发现的一条重要的多金属成矿带。商旭金矿床位于班公湖-怒江缝合带中段,主要矿体呈透镜状或脉状产于中-下侏罗统木嘎岗日群浅变质海相复理石建造中,受近东西向断裂构造控制。矿石类型以石英脉型为主,其次为蚀变岩型,近矿围岩蚀变较弱,蚀变类型包括硅化、绢云母化、绿泥石化、碳酸盐化等。矿石中金属矿物主要为自然金、黄铁矿及方铅矿;脉石矿物以石英、方解石以及黏土矿物为主。初步研究表明,该矿床主要受地层及构造因素控制,成因类型为造山型金矿床。在此基础上,初步总结了矿区的主要找矿标志,包括岩性及构造标志、蚀变标志、硫化物标志、化探异常及古采矿遗迹标志等,并认为区域上存在找到商旭式金矿床的可能。
关键词:
商旭金矿床
,
地质特征
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控矿因素
,
矿床成因
,
找矿标志
,
藏北
刘军梅
,
王海林
电镀与涂饰
分别在电流密度2 A/dm2和20 A/dm2下,考察了美国杜邦的N117CS型离子交换膜、国产科润的Nepem-417型离子交换膜以及日本旭硝子的HSF型氢离子选择透过膜电解溶锡时的电流效率、锡利用率以及离子交换膜对 Sn2+的阻隔率。结果表明,电流密度为2 A/dm2时,3种离子交换膜电解溶锡的电流效率、锡利用率以及三者对 Sn2+的阻隔率均相差不大;但电流密度为20 A/dm2、且保证Sn2+质量浓度为(28±2) g/L时,旭硝子HSF 型离子交换膜的各项性能都比另外两种离子交换膜理想,电流效率84.16%,锡利用率94.82%,对Sn2+的阻隔率96.24%。因此镀锡板生产中电解溶锡时宜选用HSF型离子交换膜。
关键词:
镀锡
,
溶锡
,
电解
,
离子交换膜
,
阻隔率
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电流效率
,
锡利用率