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氧化锆-正铌酸镧复合陶瓷的力学性能

胡友根 , 张志力 , 周浪 , , 李箭

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.032

采用常压和热压烧结制备了掺入不同含量正铌酸镧(LaNbO4)的四方ZrO2基复合陶瓷.X-射线衍射分析表明经高温烧结后复合陶瓷中LaNbO4相保持稳定.测定了热压烧结条件下所制得的ZrO2-LaNbO4复合陶瓷的力学性能.结果表明:LaNbO4的加入使材料的断裂韧性均较单一组份的ZrO2或LaNbO4陶瓷有明显提高.对烧结LaNbO4多晶体进行了透射电镜分析,证实其晶粒内部普遍存在畴结构;对断口进行了扫描电镜分析,并对LaNbO4的作用机理进行了讨论.

关键词: 铌酸镧 , 氧化锆 , 复合陶瓷 , 韧性

板坯连铸中间罐钢水温度连续测量

陈永 , 严学模 , 宋国菊 , 张均祥 , 胡晓清 ,

连铸 doi:10.3969/j.issn.1005-4006.2002.03.008

介绍攀钢连铸中间罐连续测温系统的工艺特点,利用该系统实测中间罐钢液温度及其变化过程.测试结果表明:与快速微型热电偶点测温度相比,测温偏差≤±2℃、BN保护管使用寿命8~10h、测温探头温度响应时间<30s.研究结果有利于操作者适时掌握钢水温度变化情况,制定合理的拉坯工艺制度,减少水口凝钢或因钢水温度高发生的拉漏事故.

关键词:

反应热压法制备TiB2/AlN复合陶瓷

, 陈英杰 , 吴崇隽 , 胡晓清 , 苗赫濯

金属学报

本文报道了以TiN, Al和BN为原料通过反应热压法制备TiB2/AlN复合陶瓷实验结果, 对该反应的热力学过程, 产物的物相, 微观结构与形貌进行了研究与讨论, 结果表明, 原料在800℃左右开始反应, 随着温度的升高反应越完全, 1700℃左右完全反应, 通过SEM观察发现, 生成的TiB2/AlN复合陶瓷具有很高的致密度, 晶粒尺寸细小且分布均匀, 通过反应得到的AlN晶粒具有大量的层状和孪晶结构.

关键词: 反应热压 , null , null , null

过渡族金属氮化物颗粒复合氮化硅氮化硅陶瓷刀具的特性

赵振波 , 刘澄 , , 胡晓清 , 苗赫濯

稀有金属材料与工程

针对碳化物颗粒复合会导致氮化硅复合材料相组成发生变化的缺点,对过渡族金属氮化物颗粒(主要是TiN)增强氮化硅陶瓷刀具的优点进行了全面分析.分析表明,氮化物颗粒不仅比碳化物颗粒与氮化硅有更好的相容性,而且可以固溶烧结过程中气相里的碳和氧,因此会有效降低氮化硅基体的碳化,这为无惰性气氛保护烧结提供了可能.另外,氮化物颗粒的引入对提高复合材料火花放电加工性及耐磨性能亦有很大帮助.

关键词: 氮化物 , 氮化硅 , 相容性 , 颗粒增强

原位合成TiB2-TiC陶瓷基复合材料

唐建新 , , 胡晓清 , 苗赫濯

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.02.006

分析了TiB2-TiC陶瓷基复合材料的原位生成机理,利用普通的热压烧结设备,以TiH2-B4C为原料原位合成了高性能的TiB2-TiC陶瓷基复合材料。TEM和X射线衍射的研究结果表明:原位合成的复合材料中TiB2为长柱状的显微形貌,从而提高了材料的断裂韧性。

关键词: 原位合成 , 陶瓷基复合材料 , TiB2 , TiC

添加Sm-M'和YAG的α/β-Sialon复相陶瓷的烧结反应过程

, , 齐龙浩 , 胡晓清 , 苗赫濯

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.01.017

研究了在Sialon系统中分别引入10%的Sm-M'(melilite)和YAG(garnet)后的烧结反应过程.M系统(引入了Sm-M')在1600℃生成了富N过渡相Sm-M'.在烧结过程中M系统是富N的环境,有利于α-Sialon的形成,A系统(引入了YAG)在1350℃下生成的富O的过渡相YAG直到1700℃才消失.富O的环境阻碍α-Sialon的形成.

关键词: Sm-M' , YAG , α/β-Sialon复相陶瓷 , 烧结反应

Ti-B4C反应机理和扩散路径的研究

唐建新 , 程继红 , , 苗赫濯

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.020

利用差热分析和XRD分析确定了Ti与B4C发生化学反应的温度和1600C保温0.5h后的物相组成,通过Ti-B4C扩散偶对反应机理进行了研究,实验结果表明在反应过程中扩散路径是:Ti/TiC/TiB/TiB2/B4C,在扩散偶中Ti?B4C作为反应相始终存在,生成物中TiB2,TiB和TiC三相同时存在,而对于粉料烧结后只有TiB2和TiC两相.

关键词: TiB2 , TiC , 扩散偶

TiH2-TiB2反应烧结研究

程继红 , , 吴崇隽

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.07.010

采用TiH2与TiB2反应烧结原位合成了Ti与B的过渡相TiB.随着TiB2含量的适当增加, TiB2逐步转化为TiB,同时试样的气孔率增大,密度减小,导电率下降;当TiH2∶TiB 2 达到2∶1时,TiB2全部转化为TiB,密度回升,导电率提高.过渡相TiB在TiB2中呈层状结构.

关键词: TiB2 , TiB , 过渡相 , 反应烧结

Ti-B4C反应路径分析

唐建新 , 苗赫濯 ,

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.08.012

通过热力学计算,结合Ti-B-C的等温截面图分别获得了Ti,B和C在1600℃的化学势稳定图,在满足热力学和质量守恒条件下利用化学势从高向低扩散的原理,预测了在1600℃等温等压时Ti和B4C之间发生化学反应时可能存在的反应路径.利用扩散偶实验证实了该温度条件下的反应扩散路径为:Ti/TiCx/TiB/TiB2/B4C.

关键词: 扩散 , 反应路径 , Ti , B4C

低能离子束辅对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国 , 华学明 , 吴毅雄 , 三宅正司

金属学报

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。

关键词: TiN薄膜 , null , null

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