曾照强
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陈英杰
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吴崇隽
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胡晓清
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苗赫濯
金属学报
本文报道了以TiN, Al和BN为原料通过反应热压法制备TiB2/AlN复合陶瓷实验结果, 对该反应的热力学过程, 产物的物相, 微观结构与形貌进行了研究与讨论, 结果表明, 原料在800℃左右开始反应, 随着温度的升高反应越完全, 1700℃左右完全反应, 通过SEM观察发现, 生成的TiB2/AlN复合陶瓷具有很高的致密度, 晶粒尺寸细小且分布均匀, 通过反应得到的AlN晶粒具有大量的层状和孪晶结构.
关键词:
反应热压
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赵振波
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刘澄
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曾照强
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胡晓清
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苗赫濯
稀有金属材料与工程
针对碳化物颗粒复合会导致氮化硅复合材料相组成发生变化的缺点,对过渡族金属氮化物颗粒(主要是TiN)增强氮化硅陶瓷刀具的优点进行了全面分析.分析表明,氮化物颗粒不仅比碳化物颗粒与氮化硅有更好的相容性,而且可以固溶烧结过程中气相里的碳和氧,因此会有效降低氮化硅基体的碳化,这为无惰性气氛保护烧结提供了可能.另外,氮化物颗粒的引入对提高复合材料火花放电加工性及耐磨性能亦有很大帮助.
关键词:
氮化物
,
氮化硅
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相容性
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颗粒增强
程继红
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曾照强
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吴崇隽
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.07.010
采用TiH2与TiB2反应烧结原位合成了Ti与B的过渡相TiB.随着TiB2含量的适当增加, TiB2逐步转化为TiB,同时试样的气孔率增大,密度减小,导电率下降;当TiH2∶TiB 2 达到2∶1时,TiB2全部转化为TiB,密度回升,导电率提高.过渡相TiB在TiB2中呈层状结构.
关键词:
TiB2
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TiB
,
过渡相
,
反应烧结
李铸国
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华学明
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吴毅雄
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三宅正司
金属学报
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。
关键词:
TiN薄膜
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