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TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究

张家祥 , 王彦强 , 卢凯 , 张文余 , 王凤涛 , 冀新友 , 王亮 , 张洁 , 王琪 , 刘琨 , 李良杰 , 李京鹏

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173206.0433

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.

关键词: 沟道界面 , 漏电流 , Al电极 , TFT特性

戴志良、杨自鹏同志被增补为中国硅酸盐学会第六届常务理事会常务理事

硅酸盐通报

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第五届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2010]01号），经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐，以及吴仲华奖励基金理事会评审，决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”，授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 获奖者 , 中国科学院 , 评选 , 青年学者 , 物理研究所 , 物理学会

粉末冶金国家重点实验室

粉末冶金国家重点实验室

中国材料进展

粉末冶金国家重点实验室（以下简称实验室）依托于中南大学，是国内惟一的粉末冶金材料领域的国家重点实验室，现已发展成为我国乃至国际上从事粉末冶金高层次科研、培养高级人才、进行国内外合作科研的综合基地。中国工程院黄伯云院士现为重点实验室主任。主要研究方向：相图计算与材料设计；粉末冶金过程理论与模拟；制粉、成形、烧结与全致密化新技术应用基础研究；粉末冶金新材料制备原理与性能；先进航空刹车副用复合材料；纳米粉末及纳米晶块状材料等。其中材料的相图、相变及合金设计研究是实验室的重要研究方向之一。自1978年黄培云院士和金展鹏院士开辟该研究方向以来，相关研究工作在国际上产生了重大影响。杜勇教授作为金展鹏院士和黄培云院士培养的第一位博士，对该研究方向的发展做出了重要贡献。其团队经过10余年的创新研究，取得了一系列的重要成果。

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