李忠吉
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刘辉
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高克玮
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乔利杰
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褚武扬
金属学报
根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa•/ 降至KIG=0.32 MPa•/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa•/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.
关键词:
Al
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null
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null
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李忠吉
,
李金许
金属学报
采用EAM多体势的分子动力学模拟表明。Ni中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子KIe(θ＝45°）从1.00MPa•m^1/2降为0.90MPa•m^1/2;使KIe(θ=70°）从0.82MPa•m^1/2降为0.70MPa•m^1/2,即氢能促进位错的发射，另外，氢能使（111）滑移面上的Griffth)裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG(θ=0°）从1.03MPa•m^1/2降为0.93MPa•m^1/2，即氢使（111）面的表面能下降，γ^*111（H）＝0．82γ111,从而促进位错的发射，透射电镜（TEM）原位观察表明，在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动.
关键词:
镍
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null
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null
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null
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null
李忠吉
,
刘辉
,
高克玮
,
乔利杰
,
褚武扬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.10.002
根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa·/ 降至KIG=0.32 MPa·/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa·/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.
关键词:
Al,Ga,分子动力学模拟,位错发射、运动,裂纹解理
李忠吉
,
李金许
,
褚武扬
,
王燕斌
,
乔利杰
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.01.004
采用EAM多体势的分子动力学模拟表明,Ni中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子KIe(θ=45°)从1.00 MPa@m1/2降为0.90 MPa@m1/2;使KIe(θ=70°)从0.82 MPa@m1/2降为0.70 MPa@m1/2,即氢能促进位错的发射.另外,氢能使(111)滑移面上的Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG(θ=0°)从1.03 MPa@m1/2降为0.93 MPa@m1/2,即氢使(111)面的表面能下降,γ*111(H)=0.82γ111,从而促进位错的发射.透射电镜(TEM)原位观察表明,在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动.
关键词:
镍,分子动力学模拟,氢,位错发射、运动,TEM
金属学报
<正> 一、为纪念李薰创办和主编《金属学报》,继承并发扬他毕生致力于科技进步的业绩,特设立《金属学报》纪念李薰奖金基金.二、基金来源是乐于赞助的科研单位、高等院校、企业、团体的捐赠.基金属于专款,全部存入银行,每年支取利息,直接用于奖励.
关键词:
罗鹏
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金鑫
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徐承伟
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薛致远
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高强
,
张永盛
腐蚀与防护
采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.
关键词:
阴极保护
,
通电电位
,
断电电位
金属学报
<正> 1983年3月20日凌晨,《金属学报》的创刊人、主编李薰同志和我们永别了。 李薰同志1913年11月20日出生于湖南省邵阳县。1937年以优异成绩通过湖南省试,留学英国Sheffield大学,先后获得哲学博士和冶金学的科学博士学位。1950年受中国科学院郭沫若院长聘,翌年毅然回归祖国。历任中国科学院金属研究所所长,中国科学院
关键词:
