许世伟
,
王建英
,
郑升
,
郑春丽
黄金
doi:10.11792/hj20130513
对泉山金矿氰化尾矿进行了焙烧预处理—超声波强化硫脲浸金试验研究.其结果表明:该尾矿经焙烧后硫脲浸出,金的最高浸出率比未焙烧时提高了45.12%;尾矿焙烧后再经超声波强化硫脲浸出,金的最高浸出率进一步提高了9.6%,达到77.5%,且大大缩短了浸出时间,提高了浸金效率.
关键词:
金氰化尾矿
,
焙烧
,
超声波
,
硫脲
,
金浸出率
何业
,
唐俊马
,
郭志前
,
靳鹏伟
,
朱世琴
,
朱为宏
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2017.03.265
小分子α-酮戊二酸(α-KA)是人体新陈代谢的一种十分重要的产物,与多种疾病存在直接或者间接的关系,可以对临床诊断提供帮助.以BODIPY单元作为能量给体、罗丹明单元作为能量受体,利用二者存在重叠的光谱,本文设计了一种基于罗丹明和BODIPY单元的荧光共振能量转移(FRET)探针,通过将罗丹明与BODIPY的衍生物进行桥联,得到能够检测α-酮戊二酸的荧光比率型探针RDM-BO.研究表明,探针RDM-BO本身的荧光光谱与BODIPY单元类似,当探针与α-酮戊二酸发生反应时,RDM-BO中的罗丹明单元会发生开环反应,使分子的共轭发生变化,同时产生新的荧光峰,检测效果显著,检测限可达到3.14μmol·L-1.
关键词:
罗丹明
,
BODIPY
,
α-酮戊二酸
,
荧光探针
高云涛
,
施润菊
,
项朋志
,
刘满红
,
黄伟清
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2006.07.014
研究了在氯化钠存在下,在氯化亚锡-罗丹明B体系中金的浮选行为;在盐酸介质中,对10.0～100.0μg/10ml的金,浮选率为96.4%～99.1%,并与常见贱金属分离.文中测定了浮选物的组成,并结合红外光谱、吸收光谱提出浮选是基于离子缔合物形成机理,浮选物是一种非常规化学计量的大分子复杂加合物.
关键词:
金
,
氯化亚锡
,
罗丹明B
,
浮选
董兵
,
任华杰
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2009.06.012
选矿试验考察了磨矿细度、矿浆pH值、浮选药剂制度等条件对选金回收率的影响.试验结果表明:采用组合捕收荆浮选金,在最佳试验条件下,该矿石金的浮选回收率可达到90%;采用浮选铜、硫分离,既可回收金精矿中的铜,又可消除铜对金氰化浸出的影响.试验采用的工艺流程及浮选药荆制度适应该矿石特性,选别指标理想.
关键词:
浮选
,
铜、硫分离
,
氰化
,
氰化钠消耗
,
铜
,
金
吴占军
,
赵维娟
,
鲁晓珂
,
孙新民
,
李国霞
,
郭敏
,
谢建忠
,
邱霞
,
冯松林
,
郭木森
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.04.008
为研究清凉寺窑汝瓷胎和张公巷窑青瓷胎的原料特征及来源,选取37个清凉寺窑汝瓷胎样品(32个汝官瓷胎和5个汝民瓷胎)、32个张公巷窑青瓷胎样品以及14个岩石样品,用中子活化分析(NAA)方法测得每个样品中的23种元素含量;使用散布分析及主成分分析方法处理NAA数据.结果表明:元素Fe,Ce,Ba,Ta,Th,La,Sm和Cr可作为区分汝官瓷胎和张公巷窑青瓷胎原料产地的指纹元素;汝官瓷胎原料产地较集中,来源相对稳定;清凉寺窑汝民瓷胎料产地与汝官瓷基本相同,均为就地取材;张公巷窑青瓷胎原料产地较为分散,与汝官瓷不同,但二者距离相近.
关键词:
清凉寺窑
,
张公巷窑
,
中子活化分析
,
主成分分析
,
散布分析
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
周海飞
,
龚谦
,
王凯
,
康传振
,
严进一
,
王庶民
材料科学与工程学报
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8％,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0％.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响.通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用.
关键词:
分子束外延
,
InGaP
,
InAlP
,
张应变Ge
