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Ce:YAG晶体色心和缺陷的伽马射线辐照研究

李抒智 , , 董永军 , 华伟 , , 梁晓娟 , 钟家松 , 赵寅生 , 吕春燕

材料导报

利用伽玛射线研究了Ce3+:Y3Als O12晶体的辐照色心缺陷,比较了采用提拉法和温梯法生长的Ce3+;Y3Al5O12晶体中产生的不同色心缺陷,并利用吸收光谱、激发发射光谱和退火等方法分析了晶体中235nm和370nm色心吸收带的形成原因,指出晶体中的235nm吸收带由F+色心引起.进一步分析了YAG晶体的辐照,证实了370hm色心的来源,表明370nm吸收带与F-类色心相关.

关键词: 晶体 , Ce:YAG , 伽玛射线 , 辐照 , 缺陷

γ-LiAlO2晶体生长挥发和腐蚀研究

邹军 , 彭观良 , 陈俊华 , 李抒智 , , 周国清 , 徐军 , 周圣明

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.024

本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ-LiAlO2晶体,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2多晶体,中部[100]方向自由结晶形成了单一透明的γ-LiAlO2晶体,下部为钼金属颗粒,蓝宝石籽晶被严重污染;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2O挥发和腐蚀造成的.

关键词: 铝酸锂 , 导向温度梯度法 , , 氧化锂

γ-LiAlO2晶体的退火研究

邹军 , 彭观良 , 陈俊华 , 钱晓波 , 李抒智 , , 周国清 , 徐军 , 周圣明

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.010

利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.

关键词: 温度梯度法 , 退火 , γ-LiAlO2 , VTE

r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

彭观良 , 周国清 , 庄漪 , 邹军 , 王银珍 , 李抒智 , , 周圣明 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.019

本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.

关键词: 温梯法 , r面白宝石 , 位错 , 化学腐蚀 , 腐蚀坑 , 缺陷

CaF2晶体的生长与光学性能

苏良碧 , 董永军 , , 周国清 , 周圣明 , 赵广军 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.019

采用导向温度梯度法(TGT)生长CaF2晶体,建立了生长炉内的垂直温度梯度场.研究表明影响晶体质量及光学性能的主要因素包括坩埚材料、温度场、生长程序及原料纯度等.从大量的实验中总结出TGT法生长高质量CaF2晶体的生长条件如下:石墨坩埚;轴向梯度≤2℃/mm;生长降温速率1.5~2.5℃/h;冷却速率≤40℃/h.

关键词: 氟化钙(CaF2)晶体 , 温度梯度法(TGT) , 位错密度 , 透过率

a面白宝石单晶的温度梯度法生长及缺陷的研究

, 徐军 , 邓佩珍 , 干福熹 , 周永宗 , 李抒智

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.007

用温度梯度法(TGT)生长出了高质量的a面(11-20)白宝石单晶.通过化学腐蚀和光学显微镜研究了晶体内部的位错分布及其密度的大小,同时应用高分辨X射线四圆衍射法测定了晶体内部的完整性.

关键词: 温度梯度法 , a面白宝石 , 缺陷

用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜

李抒智 , 徐军 , , 邹军 , 周圣明

无机材料学报

利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的γ-LiAlO2薄膜. X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2
所组成. 此薄膜经850~900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向. 这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2
(100)- Al2O3(0001)复合衬底.

关键词: GaN , vapor transport equilibration(VTE) , γ-LiAlO2 , sapphire

温度梯度法生长氟化钙晶体

董永军 , 周国清 , 苏良碧 , , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.011

用温度梯度法成功生长了直径75mm、完整、透明的氟化钙晶体,对晶体进行了TG-DTA测试分析,确定了其熔点为1413.5℃,并测试了晶体从190nm的紫外波段到40000nm的红外波段的透过率,发现从中紫外波段到红外波段氟化钙晶体的透过率已经能满足各种应用的要求,但在远紫外波段和真空紫外波段(246nm以下)氟化钙晶体的透过率需要进一步提高.

关键词: 氟化钙晶体 , 晶体生长 , 温度梯度法

光刻系统用氟化钙晶体的研究进展

董永军 , 周国清 , , 苏良碧 , 徐军

无机材料学报

解释了氟化钙晶体能被应用在光刻系统和掀起研究热潮的原因,概述了氟化钙晶体的研究和发展现状,指出了目前氟化钙晶体在研究和发展过程中要解决的重要问题和措施,最后对氟化钙晶体在光刻系统中的发展前景作了展望.

关键词: 氟化钙 , crystal , UV , lithography , semiconductor , null

用MOCVD法在LiGaO2(001)上生长GaN的研究

, 干福熹 , 邓佩珍 , 徐军 , 李抒智 , 张荣

无机材料学报

LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.

关键词: GaN , LiGaO2 , MOCVD

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