邢玉梅
,
陶凯
,
俞跃辉
,
郑志宏
,
杨文伟
,
宋朝瑞
,
沈达身
功能材料
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.
关键词:
SOI材料
,
氧化铪
,
薄膜
邢玉梅
,
俞跃辉
,
林梓鑫
,
宋朝瑞
,
杨文伟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.010
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
关键词:
碳化硅
,
离子束合成
,
埋层
程新红
,
宋朝瑞
,
杨文伟
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.015
利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.
关键词:
图形化SOI技术
,
LDMOS
,
射频功率器件
,
增益
盛梅
,
杨文伟
,
郭登峰
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2005.07.020
研究了菜籽油与甲醇在固定化脂肪酶催化作用下转酯反应生成菜籽油甲酯(即生物柴油)的过程,考察了酶的预处理方式、反应体系含水量、醇与油摩尔比和甲醇的加入方式等对产物中甲酯含量的影响.结果表明,将酶在油酸甲酯中浸泡2 h,用菜籽油洗涤,再在菜籽油中浸泡12 h后,可明显提高其催化活性,加快醇解反应速率.原料菜籽油和甲醇本身含有的微量水,可激活酶的催化活性,加快醇解反应速率,体系含水量过高反而使酶的活性有所下降.酶催化菜籽油醇解反应最适醇与油摩尔比为3:1,甲醇分3次加入,可避免酶在甲醇溶液中失活,最终产物中甲酯含量高达99%以上.
关键词:
转酯反应
,
固定化脂肪酶
,
菜籽油
,
甲醇
,
生物柴油
孙丰月
,
丁正江
,
刘殿浩
,
张丕建
,
于晓飞
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.01.004
福山北部地区位于胶东栖(霞)-蓬(莱)-福(山)成矿带北段.该区粉子山群大面积出露,褶皱断裂构造发育,中生代燕山晚期伟德山超单元幸福山单元和雨山超单元王家庄单元、水夼单元斑岩出露广泛,形成一套完整的斑岩多金属成矿系统.与该成矿系统有关的矿床成矿系列包括邢家山(钼钨)、王家庄(铜锌)、杜家崖(金银)和隆口(金铜)等矿床式.从现有研究成果看,该区具有较大找矿潜力,中-低温热液脉型、斑岩-矽卡岩型多金属矿应作为找矿主攻方向.
关键词:
斑岩
,
成矿系统
,
成矿系列
,
胶东
,
福山北部
李伟
,
周凤星
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.022
采用点阵式LCD作为电磁阀检测仪的显示终端,介绍了一种在C语言环境下,在液晶显示屏上实现多级嵌套菜单显示并通过键盘和单片机通信的简便方法.给出了一个结构紧凑、实用的程序模型,编写了实际中经常用到的一些程序,这些程序已在伟福E6000/L仿真器中编译通过,在实际的检测过程中能让LCD正确显示电磁阀检测仪采集的电压、电流、压降等实时数据,还能很好地嵌套显示电磁阀检测仪其他的一些相关信息,显示图像稳定、清晰.
关键词:
LCD
,
汉字字模
,
AT89C55
,
C语言
,
嵌套菜单
