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配向膜材料与面残影的关联性研究

刘晓那 , 宋勇志 , 徐长健 , 周波 , 马国靖 , 陈松飞 , 袁剑峰 , 林承武 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142903.0317

利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究.一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC).而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残影水平较低的TFT-LCD模块.因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及△VHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残影结果评估,为实际生产中产品残影的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用.

关键词: 配向膜 , 电压保持率 , 残余电流 , 残影

HTM技术中细微图形成形效果的衍射理论分析与实验结果

郭建 , 金基用 , 林承武 , 明星 , 周伟峰 , 李斗熙

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.03.014

针对使用半色调掩膜技术的TFT LCD玻璃基板曝光过程中的衍射和干涉现象进行了分析.文中给出了衍射和干涉现象的理论模型,并且对这两种现象在HTM技术中所起的作用进行了解释,尤其针对不同的狭缝宽度和狭缝间距的结构进行了分析.给出了扫描电镜的图片做为进一步的说明.

关键词: 半色调掩膜 , 灰色调掩膜 , 薄膜晶体管液晶显示器 , 曝光 , 衍射

基板支撑梢对TFT栅界面SiNx和a-Si成膜特性的影响

王守坤 , 孙亮 , 郝昭慧 , 朱夏明 , 袁剑峰 , 林承武

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122705.0613

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究.结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢；对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢.并对成膜影响的机理进行了分析讨论.

关键词: 等离子体增强化学气相沉积法 , 基撑梢 , 氮化硅膜 , 氢化非晶硅膜 , 傅里叶红外分析

薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究

王守坤 , 郭总杰 , 袁剑峰 , 林承武 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142903.0355

对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.

关键词: 铟锡氧化物 , 薄雾不良 , 边缘场开关薄膜晶体管 , 等离子体化学气相沉积 , 氮化硅膜 , 透过率

忠武管道阴极保护断电电位测量结果分析

罗鹏 , 金鑫 , 徐承伟 , 薛致远 , 高强 , 张永盛

腐蚀与防护

采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.

关键词: 阴极保护 , 通电电位 , 断电电位

卡林型金矿的再定义

周余国 , 刘继顺 , 欧阳玉飞 , 何兆波 , 高启芝

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.11.003

介绍了卡林型金矿称谓的演变及不同学者在卡林型金矿认识上的差异,通过分析这些不同称谓演变和认识上的差异,结合笔者多年来在滇黔桂"金三角"地区的找矿实践和思考,认为:对卡林型金矿应"只求同"(要求其最基本的表面的特征相同或相似),"须存异"(容矿岩石、产出地质背景、成因等有所不同),卡林型金矿本身不具有成因意义,不是一种成因类型;判别卡林型金矿有4条标准;依据4条标准,将卡林型金矿定义为区带上_集中分布的(超)微细、浸染、中低温热液矿床.

关键词: 卡林型金矿 , 判别标准 , 再定义