欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(2727)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器

戴永胜 , 陈堂胜 , 杨立杰 , 李辉 , 俞土法 , 陈新宇 , 郝西平 , 陈效建 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.002

介绍了一种新颖的在5~20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5~20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm.

关键词: 微波毫米波单片集成电路 , 开关金属半导体场效应晶体管 , 兰格耦合器 , 多倍频程 , 反射型移相器

可兼容多极性控制信号的90°数字/模拟单片集成电路移相器

戴永胜 , 陈堂胜 , 扬立杰 , 俞土法 , 李辉 , 陈新宇 , 郝西平 , 陈效建 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.003

介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计、制造和性能.获得了高性能(在5~20GHz频率范围内,低的峰值相移误差≤(90±5)°;低的输入/输出驻波≤1.5和低插入损耗及起伏≤(3.0±0.5)dB)和小芯片尺寸(4.2mm×0.6mm×0.1mm).

关键词: 微波毫米波单片集成电路数字/模拟移相器 , 多倍频程 , 可兼容多极性控制信号

X波段单片低噪声放大器芯片

彭龙新 , 周正 , 蒋幼泉 , , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009

报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.

关键词: 微波单片集成电路 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

C波段单片低功耗低噪声放大器

彭龙新 , 李建平 , , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027

报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益>25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波<2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.

关键词: 微波单片集成电路 , 低功耗 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

陈效建 , 毛昆纯 , , 杨乃彬

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.001

着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.

关键词: 砷化镓 , 微波单片集成电路 , CAD模型 , CAD设计优化

栅控单片宽带可变增益放大器

彭龙新 , , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.05.032

报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2~8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.

关键词: 单片集成电路 , 可变增益 , 赝配高电子迁移率晶体管

甘肃某卡型氧化金矿石回收试验研究

缑明亮 , 崔长征

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2012.04.011

甘肃某卡型氧化金矿石中以微细粒包裹赋存在硫化矿、氧化铁矿、碳酸盐、硅酸盐等矿物中,采用全泥氰化和浮选工艺处理,回收率很低.通过探索试验,确定采用焙烧—氰化工艺处理,在试验确定的最优条件下,氰化浸出率可达到92%,取得了理想试验指标.

关键词: 型金矿石 , 焙烧 , 细磨 , 氰化 , 浸出率

高硫高粘土含砷含碳卡精矿生物预氧化研究

丘晓斌 , 温建康 , 武彪 , 邹来昌 , 刘美林 , 尚鹤

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.05.017

针对低品位高硫高粘土含砷含碳卡精矿矿石性质特殊,直接氰化浸出率仅为10.01%,且常规生物预氧化方法无法有效脱除精矿中的硫、砷等有害杂质,开展了分步生物预氧化试验研究.通过充气搅拌浸出条件试验,考察了磨矿细度、接种量和矿浆浓度对预氧化效果的影响,结果表明三者均对预氧化效果影响很大.当工艺参数为:浸矿温度45℃,磨矿细度-37 μm占90%,矿浆浓度10%,接种量10%,搅拌速度120 r~min-1,浸矿体系2L,采用分步预氧化方法,共氧化9d,精矿中硫、砷脱除率分别可达82.96%和92.01%,后续的氰化浸出率为79.91%.预氧化渣XRD图谱,SEM分析以及氰化试验表明,精矿中有机碳物质具有严重劫作用,同时预氧化5~9d期间黄铁矿表面形成的大量黄钾铁矾膜对后续的氰化浸出也具有严重的抑制作用.

关键词: 精矿 , 生物预氧化 , , 黄钾铁矾

云南某卡型金矿石堆浸生物氧化半工业试验

戴红光 , 陈景河

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2012.01.012

云南某金矿矿石,含砷及吸附氰化已溶碳质物和黏土矿物,以超显微赋存于其他矿物中,属卡型金矿石,直接氰化的浸出率为3.17%~4.7%.采用堆浸生物氧化,经过6个月的预处理后,矿石中的堆浸氰化浸出率可达65.5%.

关键词: 型金矿石 , 堆浸生物氧化 , 浸出率

型金矿的再定义

周余国 , 刘继顺 , 欧阳玉飞 , 何兆波 , 高启芝

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.11.003

介绍了卡型金矿称谓的演变及不同学者在卡型金矿认识上的差异,通过分析这些不同称谓演变和认识上的差异,结合笔者多年来在滇黔桂"金三角"地区的找矿实践和思考,认为:对卡型金矿应"只求同"(要求其最基本的表面的特征相同或相似),"须存异"(容矿岩石、产出地质背景、成因等有所不同),卡型金矿本身不具有成因意义,不是一种成因类型;判别卡型金矿有4条标准;依据4条标准,将卡型金矿定义为区带上_集中分布的(超)微细、浸染、中低温热液矿床.

关键词: 型金矿 , 判别标准 , 再定义

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共273页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词