郑轲
,
栾远飞
,
汪永安
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.017
实现了只需要更改点阵参数,并重新编译,就能适用于不同规模点阵式液晶显示控制器的IP核设计.通过在现场可编程门阵列(FPGA)器件中构建软核处理器(NiosⅡ)来代替专用集成电路,并在NiosⅡ中嵌入C程序,根据给定的点阵数自动化地实现了在不同点阵规模下的各种设计参数的计算.结合FPGA和特定的程序流程,使显示控制器在适用性,成本和可靠性方面得到了很好的提升.
关键词:
显示控制器
,
现场可编程门阵列
,
软核处理器
肖云
,
魏国升
,
王瑛
腐蚀与防护
采用失重法、电化学阻抗谱法、极化曲线法测试了25℃时栾树籽提取物(KPSE)在5％ H2SO4溶液中对A3碳钢的缓蚀作用.结果表明,栾树籽提取物缓蚀剂质量浓度为15 g/L时,缓蚀率高达93.88％.因其在钢铁表面吸附而起缓蚀作用,吸附模型符合Langmuir吸附等温式.运用相关公式,求出△G的值在-20～0 kJ/mol之间,属于物理吸附；求出腐蚀反应的Ea,△H*和△S*值,并讨论了缓蚀机理.极化曲线表明栾树籽提取物是混合型缓蚀剂.
关键词:
栾树籽提取物
,
缓蚀率
,
硫酸
,
缓蚀机理
金漫彤
,
董海丽
,
楼敏晓
,
王连军
硅酸盐通报
本文分析了焚烧飞灰的主要化学组成,对土聚物固化城市垃圾焚烧飞灰和水泥固化飞灰的效果进行了实验研究和比较,探讨了土壤聚合物固化垃圾焚烧飞灰的机理.结果表明,焚烧飞灰主要包括Ca、Cl、Si、Al、K、S、Na等,重金属包括Zn、Pb、Cu、Cd和Cr等.在相同的条件下,土聚物固化飞灰后固化体的抗压强度明显高于水泥固化体,且表现出早期抗压强度高的特点,固化体重金属的浸出毒性远低于国家有关浸出毒性标准.
关键词:
土壤聚合物
,
水泥
,
飞灰
,
固化
葛延津
钢铁
介绍了不同于回转剪的模式飞剪.给出了模式飞剪APC系统的结构,推导出模式飞剪APC系统的控制算法及位置,给定信号产生原理及算法.绘出了模式飞剪与带钢行进中的路径波形.给出了APC系统实际的定尺精度等运行结果.带钢被剪端口光滑、整齐.该APC位置控制系统在本钢带钢剪切生产线中得到了很好的应用.
关键词:
模式飞剪 位置自动控制系统 APC APC算法 定尺剪切
赵晓舒
,
张娜珍
,
刘敏
,
邓付美
,
吴明火
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2016.08046
水飞蓟宾和异水飞蓟宾是水飞蓟素中的主要有效成分，其纯化制备主要借助柱色谱法，制备量大，纯化效果好，但过程非常费时。该研究的主要目的是利用更为快速高效的固相萃取（ SPE）法从水飞蓟粗提物中分离纯化水飞蓟宾和异水飞蓟宾。建立了用于分析水飞蓟宾和异水飞蓟宾的高相液相色谱法，通过优化洗脱梯度，实现了水飞蓟宾、异水飞蓟宾与其他组分的分离。试用了3种保留机理不同的SPE填料，包括亲水亲脂（ HLB）填料、亲水色谱（ HILIC）填料及反相C18硅胶填料。通过对比发现C18硅胶对目标化合物的选择性最佳。进一步控制SPE的淋洗及洗脱条件，收集相应的洗脱液，经氮吹干燥后得到纯化的样品。提纯后的水飞蓟宾和异水飞蓟宾混合物的纯度可达94％以上。水飞蓟宾和异水飞蓟宾的平均回收率分别为70?5％～81?7％和66?7％～81?8％，相对标准偏差分别为2?7％～9?4％和1?5％～6?1％。该方法简单、高效，免去传统分离纯化过程中长时间的柱色谱分离过程，适合制备纯度较高的水飞蓟宾和异水飞蓟宾的二元混合标准样品。
关键词:
固相萃取
,
液相色谱
,
分离纯化
,
水飞蓟宾
,
异水飞蓟宾
朱永生
,
吴水生
,
廖庆华
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.06.014
野外高位生产水池和生活水池的动态监控,是保证供水,防止溢流,有效降低生产成本的重要手段.无线远传动态监控系统和管理网络的建立使人们装上了监控的眼睛.
关键词:
动态监控
,
生产水
,
生活水
,
水池液位
,
水质指标
,
无线远传系统
于潮
,
李晓东
工程热物理学报
本文采用二维Ffowcs Williams＆Hawkings(FW-H)方程对平行剪切层远声场辐射特性进行了研究.近流场时间精确数据通过计算气动声学(Computational Aeroacoustics,CAA)技术数值模拟获得,声远场信息则通过FW-H方程对近流场内的可穿透积分面进行积分获得.该方法首先采用具有解析解的涡/尾缘干涉问题进行了校核,进一步采用CAA/FW-H匹配技术对二维平行剪切层声辐射问题进行了预测,计算结果表明,积分解与计算域内的CAA数值解吻合较好.
关键词:
FW-H方程
,
计算气动声学
,
涡/尾缘干涉
,
剪切层
胡贵军
,
石家纬
,
张素梅
,
齐丽云
,
李红岩
,
张锋刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037
介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.
关键词:
半导体激光器
,
高功率
,
远结
,
噪声
