梁新中
,
杜石峰
电镀与涂饰
介绍了钾盐镀锌工艺中与不同主光亮剂组合使用的载体光亮剂,如与苄叉丙酮配合使用的平平加O与硫酸的磺化产物或用聚氧乙烯脂肪醇醚经尿素和氨基磺酸磺化而成的载体光亮剂,与邻氯苯甲醛配合使用的壬基酚环氧乙烷加成物和顺丁烯二酸酐与焦亚硫酸的反应产物,以及基于酯化而成的聚醚型表面活性剂的新型载体.评价了各种载体光亮剂的性能.
关键词:
钾盐镀锌
,
光亮剂
,
载体
,
配方
梁新中
电镀与涂饰
介绍了一种硫酸锌镀锌工艺,其镀液组成包括硫酸锌140～200 g/L,硫酸钠60～80 g/L,氯化钾80～140 g/L,硼酸25～30g/L,Lx-600A光亮剂15～20mL/L.其操作条件为:温度5～60 ℃,pH 3～6,电流密度2～5A/dm2,阴极移动速率15～20次/min.描述了镀液的配制,讨论了镀液中各组分及工艺条件对镀液和镀层性能的影响.该工艺沉积速率高、分散能力好,所得镀层达到全光亮,有机物夹杂较氯化钾镀锌件少.
关键词:
镀锌
,
硫酸盐
,
工艺
,
光亮度
梁新中
电镀与涂饰
介绍了一种采用水溶性低泡光亮剂的碱性镀锌工艺,适用于铁丝和钢带的连续镀锌.其工艺流程主要包括盐酸酸洗,氢氧化钠中和,在含有氧化锌18～25g/L、氢氧化钠200～ 280 g/L和光亮剂(由苄基吡啶鎓盐和聚乙烯亚胺及其衍生物组成)10～14 mL/L的镀液中镀锌,硝酸出光,蓝白钝化或彩色钝化,以及烘干.讨论了光亮剂用量、温度、pH、波美度及电流密度对碱性镀锌工艺的影响.与传统的硫酸锌-硼酸体系相比,该工艺所得镀锌层质量稳定,废水处理简单,彩色钝化膜更鲜艳、牢固,耐蚀性更强.
关键词:
铁丝
,
钢带
,
碱性镀锌
,
钝化
,
耐蚀性
梁新中
电镀与涂饰
介绍了硫酸盐镀锌及氯化物镀锌的光亮剂组成,总结了2种工艺的共同点,并给出了典型镀液组成及工艺参数.指出钾盐镀锌用的主光亮剂亚苄基丙酮和多醛类衍生物Z-100同样可用于硫酸盐镀锌之中,2种镀锌体系的辅助光亮剂组成基本一致.在传统硫酸锌-硼酸高速镀锌体系镀液中加入硫酸钠和氯化钾,可成为滚挂通用的硫酸液镀锌液,具有出光快、光亮度好、钝化膜不变色的优点.
关键词:
镀锌
,
硫酸盐
,
氯化物
,
光亮剂
贺丹
,
杨子豪
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160729.002
基于一种新修正偶应力理论建立了微尺度平面正交各向异性功能梯度梁模型.模型中包含两个材料尺度参数,因此能够分别描述在两个正交方向上由尺度效应带来的不同大小弯曲刚度增强.基于最小势能原理推导了平衡方程和边界条件,并以自由端受集中载荷作用的悬臂梁为例给出了弯曲问题的解析解.该梁模型的控制方程以及解的形式和经典梁模型是一致的,只是在刚度项中增加了一项和尺度效应有关的项.算例结果表明:采用本文模型所预测的梁挠度总是小于经典理论的结果,即捕捉到了尺度效应.尺度效应会随着梁几何尺寸的减小而增大,并在梁的几何尺寸远大于尺度参数时逐渐消失.
关键词:
修正偶应力理论
,
正交各向异性
,
功能梯度材料
,
尺度效应
,
材料尺度参数
吴迪
,
赵宪明
,
董学新
钢铁
由于轧机尺寸的限制,目前国内只能轧制中梁型钢的一半,即乙字钢,用通长焊接方法生产中梁型钢.由于新型中梁的尺寸和性能要求所决定,单一的热轧和冷弯都难以生产.为此,研制了新型中梁的合理生产工艺,一种是热轧加热弯,另一种是热轧加冷弯.可以保证产品质量,投资不大,但是与传统工艺有明显区别,需要具有特定设备条件和良好的市场开拓精神.
关键词:
型钢轧制
,
车辆型钢
,
新型中梁
王子标
,
董文浩
钢铁研究
对常见钢卷运输设备的特点进行分析比较,分析了步进梁的基本原理和结构类别,结合具体工程对步进梁进行了优化设计,详细阐述了步进梁的设计计算过程,并给出偏心轮步进梁的升降轨迹原理和理论计算过程,以及工程应用中的简化设计方法,可指导相关的工程设计。
关键词:
钢卷运输
,
步进梁
,
结构原理
,
设计计算
过增元
工程热物理学报
通过与力学、电学的比拟,在热学中引入了热量的势、势能、速度、动能等新的物理量,从而可建立热量运动的守恒方程组.热量传递是不可逆过程,耗散的是热量的"能量".以耗散最小(热阻最小)为目标函数,就能对传热过程进行优化.傅立叶导热定律是热量运动方程在不计动量变化条件下的简化.在极端(低温、超高速、纳米尺度)条件下不再适用,引入新物理量后,能阐明热波、导热系数尺度效应等"超常"物理现象.
关键词:
热量势
,
热量势能
,
热量运动速度
,
热量动能
,
热量能量的耗散
林兰英
,
王占国
,
钱家骏
,
葛惟锟
,
万寿科
,
林汝淦
材料研究学报
直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。
关键词:
