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蒙脱土改性聚乙烯复合材料的高场介电性能研究

, 李入鹏 , 高俊国 , 张晓虹

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2007.03.013

利用熔融插层法制备了聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料,研究蒙脱土对聚乙烯介电性能的影响.研究分析了纯聚乙烯和不同的聚乙烯/蒙脱土复合材料的树枝化性能,通过直流预电应力电树引发试验,探讨了空间电荷的极性效应对不同材料树枝化性能的影响.试验结果表明:与纯聚乙烯和其他复合材料相比,加入相容剂的聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料的电树潜伏期更长,电树生长速度更慢,而且显示出与LDPE不同的极性效应.不同材料的热激电流(TSC)试验结果显示:聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料的松弛时间分布展宽,峰值增高,说明在纳米复合材料中引入了更多的陷阱能级,这些陷阱调制了载流子浓度和迁移率,从而抑制了树枝的起始与生长.

关键词: 聚乙烯 , 蒙脱土 , 纳米复合材料 , 电树枝 , 热激电流 , 空间电荷

原子核的反常称能谱研究

徐延冰

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002

将具有负称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.

关键词: 形变Hartree-Fock态 , 角动量投影 , 单粒子能谱 , 反常称态

管道阴极保护断电电位测量结果分析

罗鹏 , 金鑫 , 徐承伟 , 薛致远 , 高强 , 张永盛

腐蚀与防护

采用GPS卫星同步断电法对忠管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.

关键词: 阴极保护 , 通电电位 , 断电电位

奇A核101Pd和101Ru的负称带能谱研究

徐延冰

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2003.03.003

将具有正称的gds组态空间扩大到包含具有负称的1h11/2轨道, 采用修正的表面δ相互作用(MSDI)对101Pd和101Ru两个奇A 核进行了形变HF计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对101Pd和101Ru进行了能谱计算, 得到其正、负称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.

关键词: 角动量投影 , 单粒子能谱 , 称带

单胶子交换和单π交换夸克模型中核子负称共振态的电磁跃迁振幅

, 何军

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.02.023

分别利用单胶子交换和单π交换夸克模型计算了核子负称激发态的电磁跃迁振幅, 讨论了两个模型所给出的不同的组态混合角.结果表明,单胶子交换模型所给出的重子波函数比单π交换夸克模型的波函数更为合理.

关键词: 组份夸克模型 , 组态混合 , 跃迁振幅

涂料概述

王连杰 , 高焕方

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2004.06.005

重点对吸涂料的吸机理以及粘结剂和吸收剂种类进行了论述,并对吸涂料的发展趋势进行了简单描述.

关键词: 吸收剂 , 涂料 , 隐身涂料

毫米/厘米兼容吸涂层的设计与研究

于名讯 , 丁文皓 , 李云南 , 何华辉

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.07.003

以电磁理论为基础,对两层结构的毫米/厘米兼容吸收涂层的设计方法进行了分析,并根据理论分析的结果进行了系列吸涂层的实验.理论分析和实验结果表明,先分别以电损耗和磁损耗为主,采用单层结构分别对毫米和厘米实现较好的吸收,然后以厘米吸收层作为内层,以毫米吸收层作为外层,并进一步改善内外层之间的阻抗匹配,利用两层结构可以对毫米和厘米实现较好的兼容吸收.

关键词: 兼容吸涂层 , 毫米 , 厘米

材料的研究进展

王海泉 , 陈秀琴

材料导报

综述了目前国内外吸材料的研究动态,介绍了传统吸材料以及新型吸材料,如铁氧体吸材料、碳纤维结构吸材料、纳米吸材料、手性吸材料,多晶铁纤维吸材料,导电高聚物吸材料,雷达红外兼容吸材料的研究状况.

关键词: 材料 , 隐身技术 , 吸收剂 , 纳米材料

SiC(N)/LAS吸材料吸性能研究

罗发 , 周万城 , 焦桓 , 赵东林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011

研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸材料介电常数对温度的敏感性,使吸材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸材料对电磁的损耗进一步升高,从而使吸材料的吸性能得到增强.

关键词: 纳米SiC(N) , LAS玻璃陶瓷 , 介电常数 , 界面层 , 材料

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