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固结金刚石研磨盘加工蓝宝石基片的磨削性能研究

林智富 , 高尚 , 康仁科 , 紫光 , 耿宗超

人工晶体学报

通过蓝宝石基片磨削试验研究了陶瓷结合剂、树脂结合剂和陶瓷树脂复合结合剂制备的固结金刚石研磨盘磨削工件的材料去除率、表面粗糙度和磨盘自锐性能,确定了磨削性能最佳的金刚石研磨盘结合剂,在此基础上,进一步研究了W40、W20、W7和W2.5金刚石研磨盘磨削蓝宝石基片的材料去除率、表面粗糙度、表面/亚表面损伤及其材料去除机理,提出依次采用W40金刚石研磨盘粗磨、W7金刚石研磨盘半精磨和W2.5金刚石研磨盘精磨的蓝宝石基片高效低损伤磨削新工艺.结果表明,陶瓷树脂复合结合剂制备的固结金刚石研磨盘磨削蓝宝石基片的综合性能最好,随着磨料粒径的减小,磨削蓝宝石基片的表面材料去除方式从脆性断裂去除向塑性流动去除转变,同时蓝宝石基片的材料去除率、表面粗糙度和亚表面损伤深度也随之减小.

关键词: 蓝宝石基片 , 金刚石研磨盘 , 材料去除率 , 表面粗糙度 , 亚表面损伤 , 材料去除机理

GaN}基紫光 LED的可靠性研究

商树萍 , 于彤军 , 陈志忠 , 张国义

材料研究学报

测量了GaN基紫光LED的光功率($P$)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化, 研究了LED的可靠性. 结果表明, 紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减, 而在48 h后衰减速率减慢; 与光功率的衰减规律相对应, 其$I$--$V$曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的 电流都有明显的增加. 对载流子的输运机制的分析表明, 在 LED的工作过程中, 缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低, LED光功率下降.

关键词: 无机非金属材料 , null , null , null

GaN基紫光LED的可靠性研究

商树萍 , 于彤军 , 陈志忠 , 张国义

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.008

测量了GaN基紫光LED的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了LED的可靠性.结果表明,紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减,而在48 h后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其Ⅰ-Ⅴ曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加.对载流子的输运机制的分析表明,在LED的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED光功率下降.

关键词: 无机非金属材料 , GaN , 紫光LED , 可靠性

基于组态的包钢耐火配料系统设计

胡万里

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2010.01.023

介绍了利用组态作为监控,可编程控制器作为下位机,实现了耐火厂散料配料系统的自动化生产,该系统具有手动功能和自动功能,手动功能具有现场手动和上位机手动功能,自动功能具有全自动和半自动功能.该系统可实现配方和配料制度的任意更改,投资低,故障少,自动化程度高.

关键词: 组态 , 配料 , 上位机

”字型左手材料结构的设计与仿真

孙振 , 竹有章 , 何星 , 杨成莱 , 李磐石

材料科学与工程学报

针对目前由金属开口谐振环与金属杆构成的左手材料结构存在构造比较复杂、工艺实现较难的缺点,设计实现了一种基于金属条的改进结构一””字型结构.通过理论分析和电磁仿真软件Ansoft HFSS 10模拟仿真,利用散射参量法提取参数结果表明该结构可以在X波段实现介电常数和磁导率同时为负.讨论研究了该左手结构的金属条宽度、中间缺口宽度、中间条宽度三个结构尺寸参数变化对谐振频率和透射峰幅值的影响,结果表明三个参数的变化都会对二者产生影响,其中金属条宽度改变对透射峰值影响幅度相对较大,缺口宽度改变对谐振频率影响幅度相对较大.

关键词: 金属条 , 左手材料 , 负折射率 , 谐振频率 , S参数

寿山千寻碧,桃李几度红——热烈祝贺启东先生九十华诞

材料科学与工程学报

2011年9月27日,正值《材料科学与工程学报》第四届编辑委员会荣誉主任启东先生九十华诞暨从教68周年。在此,我们向启东先生表示最热烈的祝贺。

关键词: 材料科学与工程 , 编辑委员会 ,

锌膜氧化制备氧化锌薄膜的紫光发射

李赫 ,

材料导报

通过锌膜在金属锌熔点(419℃)以上温度和50Pa的氧气压力下退火氧化的方法制备ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜组织结构及发光性能的影响.ZnO薄膜的室温光致发光谱是由发光中心在424nm处的单一紫光组成.随着退火温度的升高,紫光的强度增加,当温度超过600℃时紫光的强度反而降低.在50Pa氧气压力下,紫光的发射归因于电子从价带到锌间隙原子(Zni)缺陷之间的跃迁.

关键词: ZnO , 脉冲激光沉积 , 紫光发射 , X射线衍射

锌膜退火氧化制备ZnO薄膜的单一紫光发射性能

范希梅 , 周祚万 , 连建设

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.018

通过锌膜在金属锌熔点以上的温度退火氧化的方法制备ZnO薄膜,研究了氧气压力对ZnO薄膜发光性能的影响.ZnO薄膜的室温光致发光谱是由发光中心在413nm~424nm处的单一紫光组成.随着氧气压力的增加,紫光的强度增加并且发光中心由424nm偏移到413nm.在低氧气压力下(50 Pa~500Pa),紫光的发射归因于电子从价带到锌间隙原子(Zni)之间的跃迁.在高氧气压力下(5000Pa~23000Pa),锌间隙原子(Zni)和锌空位(VZn)缺陷都和紫光发射有关.

关键词: ZnO , 脉冲激光沉积 , 紫光发射 , X-射线衍射

紫光对多晶掺锰铁酸铋薄膜铁电和电输运性质的影响

杜明辉 , 姜庆华 , 彭增伟 , 刘保亭

功能材料

采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5%Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生我流子.当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2.Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BFMO/Pt电容器的漏电流机制.当光入射到薄膜表面,样品的剩余极化强度增大,由无光时的91.7μC/cm2增大到光照时的99.9μC/cm2.

关键词: 掺锰铁酸铋 , , 漏电流 , 电滞回线

量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

陆敏 , 杨志坚 , 潘尧波 , 陆羽 , 陈志忠 , 张国义

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.009

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.

关键词: 紫光二极管 , MOCVD , GaN , 量子阱结构

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