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Ti细化A357铝合金中的析出相

, 郭景杰 , 贾均 , 李沛勇

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.01.004

用透射电镜研究了Ti细化A357铝合金组织中析出相的形态、组成及其对合金变形、性能的影响.结果表明,Ti细化A357铝合金组织中主要存在着弯曲状的Ti3Si5、直杆状的TiAl3及短棒状的以Al和Ti为主、含Mg和Si的化合物.拉伸变形过程中,析出相阻挡和缠结位错,对合金有一定的强化作用.时效过程中,析出相周围先形成表面无析出区,延长时效时间后该区消失,对合金的拉伸性能造成一定的影响.

关键词: Ti , A357铝合金 , 析出相 , 拉伸性能

Ti细化A357铝合金中的析出相

, 郭景杰 , 李沛勇

金属学报

用透射电镜研究了Ti细化A357铝合金组织中析出相的形态, 组成及其对合金变形, 性能的影响. 结果表明:Ti细化A357铝合金组织中主要存在着弯曲状的Ti3Si5, 直杆状的TiAl3及短棒状的Al和Ti为主, 含Mg和Si的化合物, 拉伸变形过程中, 析出相阻挡和缠结位错, 对合金有一定的强化作用, 和过程中, 析出相周围先形成表面无析出区, 延长时效时间后该区消失, 对合金的拉伸性能造成的一定的影响.

关键词: 铝合金 , null , null

钢65号钢开发实践

周详 , 景琳琳

连铸 doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-4006.20140099

介绍了钢采用120t顶底复吹转炉-LF精炼炉-连铸生产65号高碳钢的生产工艺,提出了生产优质65高碳钢方坯的技术路线和措施.生产实践表明,提高转炉出钢碳、低过热度浇注、合理的连铸拉速、二冷配水和结晶器电磁搅拌参数是生产高碳钢的关键,该工艺生产65钢,铸坯表面和内部质量均满足国标要求.

关键词: 高碳钢 , 65钢 , 生产工艺 , 低过热度 , 铸坯质量

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

斜生栅藻和氏菱形藻对Ag(Ⅰ)离子吸附的比较研究

李映苓 , 王若南 , 赵逸云 , 袁冬梅 , 曹玉

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2004.01.002

近来的报道表明,利用藻类生物吸附处理含重金属离子的污水,具有效率高、费用低、污染小等优点,作者进行了斜生栅藻(Scenedesmus obliquus(Turp.) Kütz.)及氏菱形藻(Nitzschia hantzschiana Rabh.)对Ag(I)离子吸附的比较研究,发现在2种藻上所吸附的Ag都主要以+1价的形式存在;在相同条件下,氏菱形藻对Ag(I)离子的吸附能力明显比斜生栅藻高,在Ag+离子初始质量浓度为0.33 mg/ml、温度25±2℃下,当吸附达到平衡后,斜生栅藻对Ag(I)离子的平均吸附量为15mg/g,而氏菱形藻为27mg/g.

关键词: 纤维冶金 , , 斜生栅藻 , 氏菱形藻 , 吸附

轧辊偏心分析和补偿宁窗采样的FFT比值算法

李勇 , 胡贤磊 , 王君 , 刘相华 , 李海涛

钢铁研究学报

宁窗采样快速傅立叶变换比值算法,可用于带钢厚度偏差的诊断,也可用于板带材的轧辊偏心控制补偿。它在非整周期截断情况下能有效地降低由泄漏效应和栅栏效应产生的估算误差。与直接FFT和一般的FFT改进算法相比,具有算法公式简单明了,算法精度高,收敛速度快的特点。通过数字仿真和某中厚板厂的现场数据分析,证明了这种算法的准确性、优越性。

关键词: 宁窗采样;快速傅立叶变换;厚差诊断;偏心补偿;板带材厚度控制

轧辊偏心分析和补偿宁窗采样的FFT比值算法

李勇 , 胡贤磊 , 王君 , 刘相华 , 李海涛

钢铁研究学报

宁窗采样快速傅立叶变换比值算法,可用于带钢厚度偏差的诊断,也可用于板带材的轧辊偏心控制补偿.它在非整周期截断情况下能有效地降低由泄漏效应和栅栏效应产生的估算误差.与直接FFT和一般的FFT改进算法相比,具有算法公式简单明了,算法精度高,收敛速度快的特点.通过数字仿真和某中厚板厂的现场数据分析,证明了这种算法的准确性、优越性.

关键词: 宁窗采样 , 快速傅立叶变换 , 厚差诊断 , 偏心补偿 , 板带材厚度控制

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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