李明升
,
范永中
,
张淑娟
,
祝文
,
段为梁
稀有金属材料与工程
利用非对称双极脉冲磁控溅射技术,双极分别接纯铬靶和纯铝靶,通过调整两靶的功率,以反应溅射的方式沉积不同铬铝比的氮化铬铝涂层.研究不同Al含量的氮化铬铝涂层的结构和硬度.所获得的涂层依次为Cr0.95Al0.05N、Cr0.9Al0.1N、Cr0.83Al0.17N和Cr0.75Al0.25N,均为B1NaCl结构,(220)为主要的织构取向.随着涂层中Al含量的增加,涂层表面突起的尺寸逐渐降低,涂层趋于光滑致密;低Al含量涂层为柱状晶结构,随Al含量提高,涂层结构更加致密,并向等轴晶结构转变.涂层硬度随Al含量的提高先增加后降低,Cr0.83Al0.17N涂层表现出最高的硬度,维氏硬度达到33 GPa以上.
关键词:
非对称双极脉冲磁控溅射
,
氮化铬铝涂层
,
微观结构
,
硬度
范永中
,
张淑娟
,
涂金伟
,
孙霞
,
刘芳
,
李明升
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00292
分别在未施加偏压和施加-100V偏压条件下,利用磁控溅射技术在压气机叶片用1Cr11Ni2W2MoV热强不锈钢基体上沉积了Ti0.3Al0.7N和Ti0.3gAl0.55Si0.05Y0.01N硬质涂层.实验结果表明,施加偏压及Si和Y掺杂明显改变了涂层的相结构,提高了涂层致密度,施加-100 V偏压且添加Si和Y的涂层为非晶结构,表面更加均匀致密.950℃氧化实验表明:Ti0.39Al0.55Si0.05Y0.01N涂层表面形成极薄且致密的Al2O3保护性氧化膜,大大降低了氧化速率.施加-100 V偏压的(Ti,Al)N和(Ti,Al,Si,Y)N沉积态涂层与未施加偏压的相应涂层相比,硬度均降低,尤其是(Ti,Al,Si,Y)N涂层变化显著.经950℃热处理,施加偏压的(Ti,Al,Si,Y)N涂层硬度略有降低,这是由于形成了硬度较低的B4相,而未施加偏压的(Ti,Al,Si,Y)N涂层硬度显著提高,这归因于Bl相固溶体的分解.划痕测试结果表明,在实验载荷(50 N)下,所有涂层均未出现连续性的剥落.
关键词:
磁控溅射
,
(Ti,Al)N
,
Si和Y掺杂
,
抗氧化性能
,
硬度
,
结合力
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率
黄为民
,
刘夷平
工程热物理学报
本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组范诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.
关键词:
激波
,
导热
,
不可逆
,
非平衡态
,
热波
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
武明义
,
孙强
,
贾瑜
,
梁二军
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.04
二维材料由于存在“膜效应”,即在垂直于薄膜方向的热涨落,使得沿着二维薄膜面内方向出现反常的负热膨胀现象.这种热效应对薄膜的稳定性及电子性质可产生重要影响.基于第一性原理计算和准谐近似,系统地研究了二维单层石墨烯、h-BN和石墨烯/h-BN异质结构的电子、声子以及热膨胀性质,计算了3种结构不同振动模式的格林奈森参数,讨论了引起这3种结构负热膨胀的振动模式.计算表明,由于垂直薄膜方向的热振动,石墨烯和h-BN在薄膜面内均具有较大的负热膨胀系数;它们形成的异质结构依靠弱的范德瓦尔斯相互作用结合在一起,这种层间弱相互作用对薄膜垂直方向的热振动产生影响,使得形成的异质结构的负膨胀系数介于石墨烯和h-BN之间.通过分析异质结构的振动模式,发现引起面内热收缩的ZA振动模式受到了层间范德瓦尔斯相互作用影响,导致异质结构的负热膨胀系数大于石墨烯而小于h-BN.研究表明,可以在实验中通过范德瓦尔斯相互作用来改变层状结构材料的负热膨胀性质,从而提高薄膜材料结构和电子性质的热稳定性.
关键词:
石墨烯
,
h-BN
,
负热膨胀
,
格林奈森参数
,
范德瓦尔斯相互作用
闵新民
,
朱磊
,
邢学玲
功能材料
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.Te(Ⅱ)-Bi离子键强度和Te(Ⅰ)-Bi差别不大,而Te(Ⅱ)-Bi共价键比Te(Ⅰ)-Bi强.Te(Ⅰ)-Te(Ⅰ)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱.Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能级处带隙变小.Sn主要影响导带结构.
关键词:
碲化铋
,
掺杂
,
电子结构
,
热电性能
