刘庆业
,
范燕燕
,
凌绍明
,
温桂清
,
梁爱惠
,
康彩艳
,
蒋治良
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2010.04.012
用适体(aptamer)修饰6 nm金纳米粒子制备了检测铅离子的核酸适体-金纳米粒子探针.在pH 7.O的Na_2 HPO_4-NaH_2PO_4缓冲溶液及NaCl介质中,该探针亦不聚集.Pb~(2+)与探针中的aptamer可形成非常稳定的G-四分体结构,并释放出金纳米粒子.在NaCl作用下,释出的金纳米粒子聚集形成较大的金纳米粒子聚集体,导致516 nm处的吸光度降低.Pb~(2+)浓度在0.3～10 nmol/L范围与516 nm处吸光度降低值呈线性关系,其线性回归方程为△A=0.0260 ρ+0.01,相关系数为0.994 3,方法检出限为0.1 nmol/L Pb~(2+).该法用于废水样分析,结果与石墨炉原子吸收光谱法一致.
关键词:
铅(Ⅱ)
,
适体
,
金纳米粒子
,
光度法
范燕燕
,
梁爱惠
,
蒋治良
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2009.05.015
在0.013 mol/L H2SO4介质中,磷酸根与钼酸钠、酒石酸锑钾反应生成淡黄色的磷锑钼杂多酸,加入纳米金后在710 nm处产生一个较强的共振散射峰,抗坏血酸可将磷锑钼杂多酸还原为磷锑钼蓝,导致710 nm处共振光散射信号降低.磷浓度在0.033～49.95 ng/mL范围内与共振光散射强度降低值呈良好线性关系,磷检出限为0.01 ng/mL.拟定的方法用于水样中磷的测定,测定结果与分光光度法的测定结果一致.
关键词:
磷酸根
,
磷锑钼蓝
,
纳米金
,
共振光散射猝灭法
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率
黄为民
,
刘夷平
工程热物理学报
本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组范诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.
关键词:
激波
,
导热
,
不可逆
,
非平衡态
,
热波
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
武明义
,
孙强
,
贾瑜
,
梁二军
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.04
二维材料由于存在“膜效应”,即在垂直于薄膜方向的热涨落,使得沿着二维薄膜面内方向出现反常的负热膨胀现象.这种热效应对薄膜的稳定性及电子性质可产生重要影响.基于第一性原理计算和准谐近似,系统地研究了二维单层石墨烯、h-BN和石墨烯/h-BN异质结构的电子、声子以及热膨胀性质,计算了3种结构不同振动模式的格林奈森参数,讨论了引起这3种结构负热膨胀的振动模式.计算表明,由于垂直薄膜方向的热振动,石墨烯和h-BN在薄膜面内均具有较大的负热膨胀系数;它们形成的异质结构依靠弱的范德瓦尔斯相互作用结合在一起,这种层间弱相互作用对薄膜垂直方向的热振动产生影响,使得形成的异质结构的负膨胀系数介于石墨烯和h-BN之间.通过分析异质结构的振动模式,发现引起面内热收缩的ZA振动模式受到了层间范德瓦尔斯相互作用影响,导致异质结构的负热膨胀系数大于石墨烯而小于h-BN.研究表明,可以在实验中通过范德瓦尔斯相互作用来改变层状结构材料的负热膨胀性质,从而提高薄膜材料结构和电子性质的热稳定性.
关键词:
石墨烯
,
h-BN
,
负热膨胀
,
格林奈森参数
,
范德瓦尔斯相互作用
闵新民
,
朱磊
,
邢学玲
功能材料
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.Te(Ⅱ)-Bi离子键强度和Te(Ⅰ)-Bi差别不大,而Te(Ⅱ)-Bi共价键比Te(Ⅰ)-Bi强.Te(Ⅰ)-Te(Ⅰ)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱.Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能级处带隙变小.Sn主要影响导带结构.
关键词:
碲化铋
,
掺杂
,
电子结构
,
热电性能
