范珊珊
,
石敏先
,
孟盼
,
陈霞
,
黄志雄
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160411.004
以硼酚醛树脂(BPF)为基体，以纳米 MgO、Al2 O3和 SiO2(MAS)为成瓷填料，添加 B2 O3、Bi2 O3或玻璃料等助熔剂，采用模压成型工艺制备 MgO-Al2 O3-SiO2/硼酚醛(MAS/BPF)陶瓷化复合材料，研究助熔剂对MAS/BPF陶瓷化复合材料热稳定性、微观结构和物相转变的影响。结果表明：MAS/BPF 陶瓷化复合材料在600~1000℃裂解2 h 后的尺寸收缩率为9%~14.5%，表现出良好的尺寸稳定性；TG 热分析发现，助熔剂使MAS/BPF陶瓷化复合材料在1200℃时的残留率降低，但在900~1200℃的热稳定性提高。XRD和 SEM分析结果显示，助熔剂能够显著降低陶瓷化反应温度。和 B2 O3、Bi2 O3相比，玻璃料更有助于形成大量的液相，促进陶瓷化组分与裂解残余碳之间的反应，从而提高 MAS/BPF陶瓷化复合材料在高温下的致密性和外形完整性。
关键词:
可瓷化碳基复合材料
,
硼酚醛树脂
,
助熔剂
,
热防护材料
,
残余物
孟盼
,
王雁冰
,
魏冲
,
范珊珊
,
黄志雄
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160411.003
硅橡胶耐热性不佳严重制约着其在耐高温领域的应用。针对这一问题,分别采用低熔点氧化物 Sb2 O3和Bi2 O3作为助溶剂,研究其对硅藻土/硅橡胶复合材料可瓷化性能的影响。采用 TG分析 Sb2 O3和 Bi2 O3对硅藻土/硅橡胶复合材料的热稳定性影响,万能力学试验仪测试热解后试样的弯曲强度,场发射扫描电镜(FESEM)和能谱仪(EDS)分析热解产物的微观形貌和成份,XRD 探索复合材料的可瓷化机制。结果表明：Sb2 O3和 Bi2 O3金属氧化物会加速硅橡胶的分解,但可以明显提高热解后试样的弯曲强度。FESEM观测到 Sb2 O3和 Bi2 O3有助于复合材料在热解过程中形成连续的桥连结构,通过EDS分析计算可知,Sb2 O3与SiO2,Bi2 O3与SiO2在热解过程中可能发生共熔反应,有助于陶瓷化结构的形成。XRD表明,加入助溶剂后的硅藻土/硅橡胶复合材料的热解后形成非晶相结构,提高陶瓷层的强度。
关键词:
硅橡胶
,
硅藻土
,
可瓷化
,
助溶剂
,
陶瓷化机制
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率
李博
,
顾春伟
,
肖耀兵
,
李孝堂
,
刘太秋
工程热物理学报
基于一套S2流面流线曲率法通流计算程序对某五级轴流压气机进行了性能分析.该程序在包含常用的叶珊特性计算模型的同时,为了反映压气机内部复杂流动的影响,引入了考虑到端壁剪切力修正的径向掺混模型和能够根据不同工况激波结构计算损失的复杂激波模型.通过与实验数据的对比结合CFD计算结果,表明该程序能够基本准确预测某五级轴流压气机的运行特性和气动布局参数,验证了该压气机性能基本达到设计要求.同时为该压气机进一步优化提供了参考.
关键词:
压气机
,
轴流
,
多级
,
通流
徐庆锋
,
徐颖
,
温卫东
机械工程材料
将蒙特卡罗法和有限元方法用于分析球珊阵列封装（BGA封装）焊点中微孔洞缺陷对焊点应力的影响。先用X射线断层扫描方法测定焊点中孔洞大小及其分布规律，然后利用Abaqus有限元分析软件建立BGA封装有限元模型，采用Anand本构方程描述焊点的应力应变响应，分析BGA封装焊点应力分布情况；并针对关键焊点即应力最大的焊点，建立了合孔洞大小和位置呈随机分布的焊点参数化有限元模型，结合试验结果，分析了孔洞直径和位置对焊点应力分布的影响。结果表明：微孔洞直径越小，越接近于焊点的表面，焊点中的应力越大。
关键词:
BGA封装
,
微孔洞
,
有限元
,
应力分布
黄为民
,
刘夷平
工程热物理学报
本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组范诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.
关键词:
激波
,
导热
,
不可逆
,
非平衡态
,
热波
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
