赵晓非
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张晓阳
,
范蕾
,
杨腾飞
,
张振超
硅酸盐通报
笔者通过对大庆采油五厂返排液水质分析,配置实验模拟液,对弱碱三元复合驱钙镁硅混合垢生长的微观过程进行了研究,并总结钙镁硅混合垢微观成垢机理.实验表明,碳酸盐与硅酸自聚成垢之间是相互影响的,单独钙镁体系或者硅酸成垢率低,成垢速率缓慢;低浓度比体系中硅酸对钙离子成垢有加速作用,1h混合体系钙离子成垢率为87％,高浓度比体系中硅酸对钙离子成垢有一定的减速作用,10 h时钙离子成垢率为50％,但二者均未影响钙离子的最终成垢率,24h后钙成垢率均为98％;混合体系中镁离子成垢显著增加,低浓度比体系中影响尤为明显,1h后低浓度比体系中镁离子成垢率已达94％;钙镁离子对硅酸聚合有明显的促进作用,低浓度比体系72 h后硅酸成垢率为95％,而但纯硅酸体系72 h的成垢率仅为5％,高浓度比体系,钙镁离子对硅酸最终成垢率无太大影响,但对其聚合速率影响颇大.偏光显微镜观察,纯碳酸盐溶液中,混合垢以立方体型碳酸钙和棒状三水合碳酸镁组成,碳酸钙吸附在棒状三水合碳酸镁晶须两端;加入硅酸后,生成球状三水合碳酸镁,絮状硅酸吸附在碳酸盐晶体上.利用电子扫描显微镜观察得到,钙镁硅混合垢微观形态为“核壳包被”结构,即以碳酸盐为晶核,多聚硅酸为壳的球形混合垢.
关键词:
弱碱三元复合驱
,
钙镁硅混合垢
,
微观成垢机理
,
核壳包被结构
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率
金蕾
,
唐其环
,
彭长灏
,
牟献良
腐蚀科学与防护技术
大气腐蚀的模拟加速试验方法研究(摘要)金蕾,唐其环,彭长灏,牟献良(中国兵器工业第五九研究所,重庆630039)试样材料为20fi4比学成分《ql.):C017SI020.Mfl04(1.P001,50017,Cfl002、N1001.Cll001、A1001试验方法采用表1列出的加速试验TablelAcceleratedtestingconditions!相关性由于本研究中只m了一种材料,因此不能采用相关系数法定量计算,对相关性只作定性评价1刽1、2分别是加速试验和户外暴露试验结果从图中曲线看,加速试验
关键词:
null
,
accelerated testing
,
correlation analysis
,
carbon steel
黄为民
,
刘夷平
工程热物理学报
本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组范诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.
关键词:
激波
,
导热
,
不可逆
,
非平衡态
,
热波
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
武明义
,
孙强
,
贾瑜
,
梁二军
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.04
二维材料由于存在“膜效应”,即在垂直于薄膜方向的热涨落,使得沿着二维薄膜面内方向出现反常的负热膨胀现象.这种热效应对薄膜的稳定性及电子性质可产生重要影响.基于第一性原理计算和准谐近似,系统地研究了二维单层石墨烯、h-BN和石墨烯/h-BN异质结构的电子、声子以及热膨胀性质,计算了3种结构不同振动模式的格林奈森参数,讨论了引起这3种结构负热膨胀的振动模式.计算表明,由于垂直薄膜方向的热振动,石墨烯和h-BN在薄膜面内均具有较大的负热膨胀系数;它们形成的异质结构依靠弱的范德瓦尔斯相互作用结合在一起,这种层间弱相互作用对薄膜垂直方向的热振动产生影响,使得形成的异质结构的负膨胀系数介于石墨烯和h-BN之间.通过分析异质结构的振动模式,发现引起面内热收缩的ZA振动模式受到了层间范德瓦尔斯相互作用影响,导致异质结构的负热膨胀系数大于石墨烯而小于h-BN.研究表明,可以在实验中通过范德瓦尔斯相互作用来改变层状结构材料的负热膨胀性质,从而提高薄膜材料结构和电子性质的热稳定性.
关键词:
石墨烯
,
h-BN
,
负热膨胀
,
格林奈森参数
,
范德瓦尔斯相互作用
闵新民
,
朱磊
,
邢学玲
功能材料
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.Te(Ⅱ)-Bi离子键强度和Te(Ⅰ)-Bi差别不大,而Te(Ⅱ)-Bi共价键比Te(Ⅰ)-Bi强.Te(Ⅰ)-Te(Ⅰ)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱.Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能级处带隙变小.Sn主要影响导带结构.
关键词:
碲化铋
,
掺杂
,
电子结构
,
热电性能
