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L-波段光纤放大器及其研究进展

, 宁鼎 , 蒙红云 , 袁树忠 , 开桂云 , 孝义

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.03.001

介绍了实现L-波段放大的三种光纤放大器:增益移位掺铒光纤放大器、掺铒碲化物光纤放大器和光纤拉曼放大器,就每一种光纤放大器的原理、结构、特点和发展现状进行了综述.

关键词: L-波段光纤放大器 , 增益移位掺铒光纤放大器 , 掺铒碲化物光纤放大器 , 光纤拉曼放大器

固红F5R电泳液微胶囊的制备和表征

倪卓 , 李丹 , 钟玉莲 , 刘丽双 , 陈展明

材料导报

采用十八胺对固红F5R进行化学修饰,以Span-80为稳定剂,四氯乙烯为分散介质,制备了分散性和稳定性良好的电泳液.以此电泳液为囊芯,脲甲醛树脂为壁材,制备了一种红色电子墨水微胶囊,研究了投料比、合成温度、酸化时间和搅拌速度等对合成微胶囊的影响.结果表明,合成的微胶囊形貌呈规则球形,表面光滑,囊壁结构致密,强度较好,包覆率达到82%,囊芯含量达到76%.固红F5R电泳液微胶囊具有明显的电场响应行为,可以作为柔板显示器的功能材料.

关键词: 电子墨水 , 微胶囊 , 固红F5R , 电场响应

古高速公路SBS改性沥青试验研究

杨成 , 刘德仁 , 王旭 , 刘国太

硅酸盐通报

本试验主要研究目的是SBS改性剂、相容剂、稳定剂、剪切速率、剪切时间、发育时间对古高速公路SBS改性沥青性能的影响.查阅该地区沥青路面资料,初步确定在相容剂掺量1.5%,稳定剂掺量1.5‰的前提下,通过对沥青软化点、25℃的针入度、5℃的延度、离析软化点差进行试验,对试验结果进行分析,最终确定SBS改性沥青的SBS改性剂掺量3.8%、相容剂掺量1.5%、稳定剂掺量2‰.在此SBS改性沥青的前提下,研究剪切速率、剪切时间、发育时间对SBS改性沥青的影响,在剪切时间30 min,发育时间90 min的前提下,继续对沥青软化点、25℃的针入度、5℃的延度进行试验,整理分析数据,得到最终的制备工艺为:剪切速率5500 r·min-1、剪切时间35 min、发育时间为120 min.得到结论为古高速SBS改性沥青为:SBS改性剂掺量3.8%、相容剂掺量1.5%、稳定剂掺量2‰、剪切速率5500 r·min-1、剪切时间35 min、发育时间120 min.

关键词: 改性沥青 , SBS改性剂 , 相容剂 , 稳定剂 , 生产工艺

"固紫"染料和四氯苯醌中多氯代二苯并二(口恶)(口英)/呋喃的分析

张庆华 , 吴文忠 , 占伟 , 徐盈

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2000.01.006

采用浓硫酸对5种不同来源的四氯苯醌和"固紫"染料样品进行溶解分散,用甲苯提取和多层色谱柱纯化,利用同位素稀释法及高分辨气相色谱/质谱 (HRGC/HRMS)联用技术,测定了其中的多氯代二苯并二(口恶)(口英)/呋喃(PCDD/F)的质量比.结果表明"固紫"染料及其原料中P CDD/F的质量比异常高,八氯代二苯并二(口恶)(口英)/呋喃(OCDD/F)已达到μg/g级甚至100 μg/g级,七氯代二苯并二(口恶)(口英)/呋喃(HpCDD/F)和六氯代二苯并二(口恶)(口英)/呋喃(HxCDD/F)质量比也达到 ng/g级.所有样品的毒性当量浓度(TEQ)均已超过10 pg/g的危险水平,是纺织品中PCDD/F的一类重要污染源.并进一步探讨了PCDD/F的来源.

关键词: 多氯代二苯并二(口恶)(口英)/呋喃 , 染料 , 四氯苯醌

磁性材料的应用

薛福连

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2001.01.011

介绍了磁性材料的性能、效应和应用,并指出了今后研究和开发的重点。

关键词: 磁性材料应用性能

金刚石的研究现状

温斌 , 李廷举 , , 金俊泽

材料导报

金刚石是具有面心立方(fcc)结构的金属性碳,是一种的碳同素异形体.为了更好地研究金刚石的性能和应用,介绍了金刚石的结构特征、制备工艺及金刚石性能研究的进展.

关键词: 金刚石 , 碳素材料 , 金刚石 , 同素异形体

大线同沟敷设热力分析

凌霄 , 王艺 , 宇波 , 张劲军 , 王凯 , 达鑫

工程热物理学报

针对大线同沟敷设管道,采用非结构化有限容积法,分析了不同的物性条件下,常温输送原油对加热输送原油的热力影响.

关键词: 同沟敷设 , 大线 , 热力分析 , 数值模拟 , 有限容积法

气相法制白炭黑

王钧 , 施善友

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.03.015

打破了传统气相法制白炭黑的工艺原理,创造性地提出一种的原理和制备方法,并在实验室初试阶段取得成功.

关键词: 气相法白炭黑 , 粉煤灰 , 浓硫酸 , 氟化钙

纳米 MOSFET/SOI器件结构

张正选 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.024

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析.

关键词: 纳米 MOSFET , SOI , 双栅 MOSFET , FinFET , SiGe/Si

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