欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(81)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性

周紫卓 , 王伟 , , 孙晓玮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.011

本文结合功能材料Al_2O_3和BCB(苯并环丁烯树脂)的特点,创新性地提出了Si/Al_2O_3/BCB多层薄膜复合结构的衬底,利用Al_2O_3高介电常数的优点和BCB薄膜工艺制备厚度的灵活性实现了低传输损耗.本研究采用与CMOS相兼容的半导体制造工艺在三种不同衬底(Si、Si/BCB和Si/Al_2O_3/BCB)上制作了CPW结构的传输线,通过仿真、测量、比较和分析其传输损耗特性得出Si/Al_2O_3/BCB多层薄膜复合结构衬底有效地降低了普通硅衬底的高频损耗(20GHz时CPW传输线的损耗为1. 18dB/mm),实现了微波毫米波电路低损耗传输线,具有广泛的应用前景.

关键词: Al_2O_3 , BCB , CPW , 传输损耗

非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

赵福川 , , 杜立新 , 莫培根

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.02.011

研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.

关键词: 垂直凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长

稀土贮氢合金表面特性的改善

王可 , 吴铸 , 夏保佳 , 倪君 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.022

用 EDTA二钠对 AB5型贮氢合金进行了表面处理 . 结果表明 , 该处理对合金的最大放电容量和大电流放电能力没有明显的影响 , 但是处理后贮氢合金电极的 1C放电电位较未处理合金电极负约 14mV, 而充电电位比未处理合金低约 17mV. 这有利于提高 MH-Ni电池的放电电压和降低充电电压 . ICP-AES分析结果表明 , 处理液中含有合金金属的离子 . XPS实验表明 , 处理后的合金表面有较低的氧含量 .

关键词: EDTA二钠 , 贮氢合金 , 表面特性

垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

, 杜立新 , 赵福川

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.017

在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.

关键词: 垂直梯度凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长

开封济河水系底泥重金属污染与潜在生态风险评价

王洪涛 , 张俊华 , 张天宁 , 姜玉玲 , 丁少峰 , 郭廷忠

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2016.08.2015123101

济河水系开封段底泥为研究对象,沿河采集75个底泥样品,测定了样品中重金属Cd、Cr、Cu、Ni、Pb和Zn的含量,并采用富集系数法分析重金属富集污染程度和潜在生态风险指数法评价重金属的潜在生态风险.结果表明,济河开封段底泥Cd、Cr、Cu、Ni、Pb和Zn平均含量分别为24.51、67.86、290.65、28.46、115.34、1936.95 mg·kg-1,远高于我国潮土背景值.富集系数分析表明,底泥各重金属污染程度由高到低依次为:Cd(146.10) >Zn(19.62)> Cu(9.89) >Pb(3.83) >Cr(0.89) >Ni(0.88),其中Cd、Cu、Zn已显著富集污染,Cr、Ni无明显富集污染.生态风险评价结果表明,底泥各重金属平均潜在生态风险系数的大小顺序依次为:Cd>Cu>Zn>Pb>Ni>Cr,6种重金属综合潜在生态风险指数(RI)平均值为7259.21,属于很强生态风险,RI“很强”等级样点主要分布在黄汴河、化肥河、济河下游及马家河下游河段,镉是最主要的潜在生态风险因子.

关键词: 开封市 , 济河 , 底泥 , 富集 , 潜在生态风险

关于贝氏体铁素体形核的评述——兼复徐耀《评刘宗昌等“贝氏体……”一文》

刘宗昌 , 计云萍 , 任慧平 , 袁长军 , 段宝玉

材料热处理学报

贝氏体铁索体在晶界形核的新观察验证了形核的一般规律.依据试验观察,理论计算得贝氏体临界晶核尺寸和形核功为:a*=16.7 nm;b*=25 nm,△G*=270 J·mol-1,此值合理.奥氏体中贫碳区的存在是普遍事实,试验也测得贝氏体相变孕育期内形成了贫碳区;不能将Spinodal分解与奥氏体中形成贫碳区和富碳区混为一.涨落是相变的契机,在孕育期内奥氏体中必由于涨落而形成贫碳区.阐述了非协同热激活跃迁形核机制.大量TTT图分析和实测均表明贝氏体铁索体形核-长大不可能以扩散方式进行.

关键词: 贝氏体铁素体 , 晶界形核 , 扩散 , 切变 , 热激活跃迁

预浸

袁诗璞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.11.014

无氰预浸可提高镀液深镀能力与分散能力,及镀层结合力.介绍了钾盐镀锌前,在镀液各组分质量分数为标准配方的120%~150%的溶液中预浸的方法,并从理论上分析了其原理.指出了手工进行预浸操作时应注意的事项.给出了预浸在钢铁件镀无氰碱铜、锌压铸件直接镀焦磷酸铜、含铅的锌合金件镀镍及HEDP镀铜中的应用实例.

关键词: 预浸 , 镀锌 , 镀铜 , 镀镍 , 深镀能力 , 分散能力 , 结合力

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共9页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词