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以环戊基环己酮和手性联萘二酚为基础原料经过还原、取代等一系列反应制备了一种新型高HTP值液晶用手性添加剂.其具有较大的HTP值以及良好的光稳定性和化学稳定性.此外,还具备TFT液晶显示用手性添加剂的一些其他要求,如较高的电压保持率,与主体液晶材料良好的相溶性,不易被吸附剂(硅胶或氧化铝)所吸附,螺距P有小的温度相依性等.特别是其HTP值达到了101 μm-1,与其他手性剂相比,用量会更少,可以大大降低其对混晶品质的影响,并且其合成方法简单,中间体及终产物易于纯化,使其在高端TFT混晶中的应用成为可能.

关键词: 环戊基环己酮 , 联萘二酚 , 液晶手性添加剂 , HTP值

一类多氟负介电液晶单体的合成及性能研究

吕文海 , 孟劲松 , 高红茹 , 贠国良 , 华瑞茂

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153001.0039

为了满足液晶母体在各种情况下的参数要求,合成了6种新型的具有2个或2个以上的2,3-二氟苯基的有较大负介电各向异性的化合物.以2,3-二氟丙基苯或2,3-二氟苯乙醚为原料,通过一系列反应合成了目标液晶单体.经过核磁共振、元素分析和质谱等方法确定了分子结构;利用示差扫描量热仪、阿贝折射仪和电容电抗测试仪等测试手段对其进行测定.实验表明,这类多氟化合物有着较大的光学各向异性(△n=0.22～0.33)和较大负值的介电各向异性(△ε=-7.63～-12.02).该类型的多氟化合物可以用于液晶母体的调配并且改善其部分性能.这类多氟化合物原料易得、收率较高(总收率5o％),极易实现工业量产.

关键词: 液晶 , 负性 , 多氟 , 大△ε

良渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 良渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产良率