朱利亚
,
赵忆宁
,
赵辉
,
杨光宇
,
黄章杰
,
陈云江
,
朱武勋
,
刘云杰
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2007.12.003
提出了微波密闭快速消解难分解的KAu(CN)2,KAu(CN)4,Pt(NH3)2(NO2)2,K2[Pt(NO2)4],Pt(NH3)2Cl2,Pt(NH3)4Cl2,(NH4)2PtCl6,K2PtCl4,Pt(C5H7O2)2等化合物的方法.比较了微波密闭消解法与传统分解法的条件;采用精密电化学滴定法分析了Au和Pt的含量,并与传统分析方法BS5658法(H2SO4发烟重量法)、火试金法和湿法重量法进行了结果对照.结果表明:以HCl-H2O2,HCl-HNO3分别为Au和Pt类化合物的消解试剂,于优化的消解条件下,Au和Pt的溶出率达100%;Au,Pt化合物对应消解时间分别为传统法的1/192～1/40和1/72～1/8,总分析流程均大大缩短;测得Au和Pt的含量与传统方法相吻合,相对标准偏差分别为0.01%～0.02%和0.05%～0.07%.
关键词:
微波消解
,
难分解贵金属化合物
,
分析
,
金
,
铂
朱利亚
,
陈云江
,
赵辉
,
赵忆宁
,
黄章杰
,
杨光宇
,
朱武勋
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2007.03.013
提出了微波密闭快速消解Pt(NH3)2(NO2)2、Pt(NH3)2Cl2、Pt(NH3)4Cl2、 (NH4)2PtCl6、K2PtCl4难分解化合物的新方法;优化了KMnO4电流滴定法测定Pt(Ⅳ)的条件;比较了本法与氯铂酸铵重量法、水合肼还原重量法、烘箱罐消解电流滴定法;同时,将精密电流滴定法应用于PtCl4、Na2PtCl6、K2PtCl6、H2PtCl4化合物中Pt(Ⅳ)含量的测定.结果表明:测定37%～65%的Pt(Ⅳ)含量,本法、氯铂酸氨重量法、水合肼还原重量法的相对平均误差分别为-0.14%～+0.13%、-0.21%～+0.21%、-0.13%～+0.14%,相对标准偏差分别为0.05%～0.08%、0.11%～0.14%、0.08%～0.09%,故本法的准确度和精密度与水合肼还原重量法的基本一致,较氯铂酸氨重量法的略好;但本法消解快速、节能、安全,操作简便,对环境污染程度小,适宜推广运用.
关键词:
分析化学
,
微波消解
,
KMnO4精密电流滴定法
,
铂类化合物
,
铂
朱利亚
,
赵忆宁
,
金娅秋
,
段颖
,
安中庆
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2007.02.009
建立了丁二肟选择性沉淀分离和析出EDTA-Pd络合物中的EDTA,Pb(NO3)2返滴定测定Pd的新方法,系统地研究了在硝酸或盐酸介质中测定Pd的条件,并对比了本法与《国家标准》分析方法的结果.研究表明:2种方法测得Pd的结果吻合,测定5～30mg Pd,相对误差-0.17% ～ +0.20%;但拟定方法的选择性好,适用性强,分析快速,操作简便、易于掌握.方法已应用于Au、Ag、Pt、Pd合金中5%～99%的Pd含量的测定,结果满意.
关键词:
分析化学
,
滴定法
,
丁二肟
,
金合金
,
银合金
,
铂合金
,
钯合金
,
钯
曲翔
,
徐文婷
,
肖清华
,
刘斌
,
闫志瑞
,
周旗钢
材料导报
忆阻器( RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗.简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型；综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等；阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题.
关键词:
忆阻器
,
薄膜材料
,
阻变机制
,
电激励
欧青立
,
徐林波
,
郭子叶
,
李娅
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.01.008
采用忆阻器替换分段线性电阻的方法,在Matsumoto,Chua和Kobayashi (MCK)提出的四阶混沌电路基础上,设计了一个含有忆阻器的五阶对称混沌电路,建立了五阶忆阻混沌电路的数学模型.采用常规动力学分析方法,分析了五阶忆阻混沌电路的平衡点集及其稳定性、Lyapunov指数.采用常规元器件,构建了五阶忆阻混沌电路的仿真模型,并进行了电路仿真实验.理论分析和仿真实验结果表明,设计的五阶忆阻混沌电路具有丰富的混沌行为,丰富了忆阻混沌电路的设计与应用.
关键词:
非线性光学
,
五阶忆阻混沌
,
动力学分析
,
忆阻器
,
混沌电路
康越
,
楚增勇
,
张东玖
,
张朝阳
材料导报
基于目前石墨烯在忆阻器中应用的最新研究进展,从石墨烯类忆阻器的基本结构出发,评述了石墨、氧化石墨烯、石墨烯在忆阻器中的应用方式,分析了石墨烯类阻变材料的阻变特性、阻变机理及界面势垒调节和电荷陷阱充放电两种模型,最后介绍了目前石墨烯衍生忆阻装置亟待解决的问题和发展方向.
关键词:
石墨烯
,
氧化石墨烯
,
忆阻器
张超超
,
尚杰
,
郝健
,
张文斌
,
冀正辉
,
刘钢
,
李润伟
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.015.014
随着对计算机性能要求的不断提高，人们一直在寻找能像人脑一样具有学习记忆功能的新型计算机。自从2008年惠普实验室发现忆阻器以后，发展具有人脑水平的智能计算机成为可能。众所周知，突触是大脑神经网络的基本单元，突触可塑性是学习和记忆的生物学基础。因此，为了实现具有学习和记忆功能的智能计算机，利用忆阻器模拟突触可塑性至关重要。综述了忆阻器在模拟突触的增强、抑制、短时程可塑性和长时程可塑性方面的研究现状，并对其研究前景进行了展望。
关键词:
忆阻器
,
突触
,
突触可塑性
,
短时程可塑性
,
长时程可塑性
魏榕山
,
蔡宣敬
,
罗文强
,
邓宁
人工晶体学报
采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶ PSS∶ PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP).测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数.该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中.
关键词:
忆阻器
,
PVP掺杂PEDOT∶ PSS
,
弛豫时间常数
潘若冰
,
胡丽娟
,
曹鸿涛
,
竺立强
,
李俊
,
李康
,
梁凌燕
,
张洪亮
,
高俊华
,
诸葛飞
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.013
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能.ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为.在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则.ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人.
关键词:
忆阻器
,
神经突触器件
,
人工神经网络
,
ZnO
